「mo-200」の検索結果

Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 100 V， 207 A， 3 ピンパッケージTO-220 TK シリーズ東芝

￥799税込￥879

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 207 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 255 W標準ターンオフ遅延時間 = 140 nsMOSFET N-Channel， TK100 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 20 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝

￥2,398税込￥2,638

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 175 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NチャンネルパワーMOSFET MOSFET， 600 V， 9.7 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ東芝

￥579税込￥637

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 380 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータ最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NチャンネルパワーMOSFET MOSFET， 600 V， 15.8 A， 3 ピンパッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ東芝

￥1,398税込￥1,538

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 230 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータ最大パワー消費 = 130 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NチャンネルパワーMOSFET MOSFET， 500 V， 18.5 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ東芝

￥2,598税込￥2,858

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータ最大パワー消費 = 40 W順方向ダイオード電圧 = 1.7VMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 31 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝

￥1,398税込￥1,538

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 Wトランジスタ素材 = SiMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 100 V， 207 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝

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欠品中

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 207 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.8 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W動作温度 Max = +150 ℃MOSFET N-Channel， TK100 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 39 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ東芝

￥1,298税込￥1,428

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 39 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 50 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NチャンネルパワーMOSFET MOSFET， 600 V， 25 A， 3 ピンパッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ東芝

￥3,398税込￥3,738

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータ最大パワー消費 = 180 W標準ターンオフ遅延時間 = 90 nsMOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 11.5 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ東芝

￥999税込￥1,099

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NチャンネルパワーMOSFET MOSFET， 600 V， 25 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ東芝

￥4,498税込￥4,948

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータ最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 500 V， 5 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS東芝

￥3,298税込￥3,628

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.4V最低ゲートしきい値電圧 = 2.4V最大ゲート-ソース間電圧 = +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W @ 25 ℃1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 20 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝

￥2,498税込￥2,748

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 155 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 5.4 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝

￥829税込￥912

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 800 V， 10 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝

￥2,698税込￥2,968

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 50 W幅 = 4.5mmMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 100 V， 65 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝

￥2,298税込￥2,528

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 65 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.8 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 31 A， 3 ピンパッケージTO-220 TK シリーズ東芝

￥1,298税込￥1,428

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 230 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応