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RoHS10物質対応(5)
「n sma」の検索結果
Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 100 mA， 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) SSM3 シリーズ東芝￥219税込￥241
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 200 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 7.8 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 20 V， 500 mA， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ東芝￥369税込￥406
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.52 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 46 pF @ 10 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 20 V， 100 mA， 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ東芝￥289税込￥318
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 20 V， 50 mA， 3 ピン パッケージUSM 2SK シリーズ東芝￥269税込￥296
1枚(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW標準ターンオフ遅延時間 = 140 nsMOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 100 mA， 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ東芝￥229税込￥252
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW標準ターンオフ遅延時間 = 180 nsMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
