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Toshiba PNP トランジスタ， 80 V， 12 A， 3-Pin TO-220SIS東芝￥1,498税込￥1,648
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当日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃PNPパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝￥209税込￥230
1袋(10個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ， 50 V， 2 A， 4-Pin PWミニ東芝￥699税込￥769
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翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = PWミニ実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 Vピン数 = 41チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 1.6 x 4.6 x 2.5mm汎用PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin TO-236MOD東芝￥859税込￥945
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-236MOD実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 70トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1長さ = 2.9mm小信号PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP パワートランジスタ， 230 V， 15 A， 3-Pin TO-3P東芝￥2,698税込￥2,968
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -230 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1トランジスタ素材 = SiPNPパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 3-Pin ESM東芝￥129税込￥142
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仕様トランジスタタイプ = PNP1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1幅 = 0.8mm抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ， 30 V， 500mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝￥1,998税込￥2,198
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -35 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.25 V小信号PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP パワートランジスタ， 230 V， 15 A， 3-Pin TO-3PN東芝￥2,698税込￥2,968
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -230 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 30 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -3 VPNPパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP バイポーラトランジスタ， 20 V， 1.5 A， 3-Pin TSM東芝￥299税込￥329
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = TSM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 750 mW最小DC電流ゲイン = 125トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -20 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.6mm汎用PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝(1件のレビュー)￥179税込￥197
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin USM東芝￥209税込￥230
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ東芝￥879～税込￥967～
1袋(25個)
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トランジスタタイプPNPトランジスタ構成シングル最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1
Toshiba PNP バイポーラトランジスタ， 50 V， 2 A， 3-Pin TSM東芝￥559税込￥615
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TSM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = -1.1 V汎用PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP パワートランジスタ， 50 V， 5 A， 3-Pin DPAK (TO-252)東芝￥1,598税込￥1,758
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.4 V汎用PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 2.2 kΩ， 3-Pin ESM東芝￥129税込￥142
1袋(5個)
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仕様トランジスタタイプ = PNP1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 2.2 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V標準抵抗比 = 0.047動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP パワートランジスタ， 50 V， 5 A， 3-Pin DPAK (TO-252)東芝￥829税込￥912
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.27 V汎用PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP 高電圧 パワートランジスタ， 600 V， 500mA， 3-Pin DPAK (TO-252)東芝￥1,198税込￥1,318
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 70トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -600 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 V最大動作周波数 = 35 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 5.5mm高電圧トランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝(2件のレビュー)￥209税込￥230
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +125 ℃RFバイポーラトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
トランジスタ東芝￥27税込￥30
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東芝トランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形(PCT方式)
低周波小電力増幅用
電力スイッチング用
直流電流増幅率が高い。：hFE(1)=120～400
コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低い・：VCE(sat)=-0.2V(最大)(IC=-400mA，IB=-8mA)
小型モータのドライブ様に適します。
電圧(V)Vceo：-15周波数帯域(MHz)fT(typ):120電流(mA)Ic:-800hFE120～240パッケージS-Mini電力(mW)Pc(Ta=25℃):200
Toshiba NPN トランジスタ， 80 V， 12 A， 3-Pin TO-220SIS東芝￥1,398税込￥1,538
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.5mmNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝￥209税込￥230
1袋(10個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN パワートランジスタ， 230 V， 15 A， 3-Pin TO-3P東芝￥2,798税込￥3,078
1袋(5個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 230 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.5mmNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ東芝￥1,298税込￥1,428
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実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大エミッタ-ベース間電圧(V)5トランジスタ構成シングルトランジスタタイプNPN
Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 2.2 kΩ， 3-Pin ESM東芝￥129税込￥142
1袋(5個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 2.2 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V標準抵抗比 = 0.047幅 = 0.8mm抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN ダーリントンペア， 400 V， 6 A， 3-Pin TO-220SIS東芝￥1,498税込￥1,648
1袋(10個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 6 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 2最小DC電流ゲイン = 100最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 2.5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 600 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 2 V最大コレクタカットオフ電流 = 20μA寸法 = 10 x 4.5 x 15mmNPNダーリントントランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN 高電圧 パワートランジスタ， 400 V， 2 A， 3-Pin DPAK (TO-252)東芝￥559税込￥615
1袋(5個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 600 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 6.5 x 5.5 x 2.3mm高電圧トランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN バイポーラトランジスタ東芝￥999税込￥1,099
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仕様汎用NPNトランジスタ、東芝幅(mm)5.5ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)80最大パワー消費(W)10最大エミッタ-ベース間電圧(V)9最大コレクタ-ベース間電圧(V)160トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)3トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン100最大動作周波数(MHz)150
Toshiba NPN 抵抗内蔵トランジスタ東芝￥1,198税込￥1,318
1袋(50個)
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仕様抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、VESM、東芝ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150内蔵抵抗器(ベースエミッタ)10kΩRoHS指令(10物質対応)対応入力抵抗1KΩパッケージVESM1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)50最大エミッタ-ベース間電圧(V)5抵抗比0.1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧(V)0.3トランジスタ構成シングル最大連続コレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン50
Toshiba NPN トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin USM東芝￥209税込￥230
1袋(10個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin SOT-23 (TO-236)東芝￥1,998税込￥2,198
1袋(200個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236)ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 50最大パワー消費 = 200 mW最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1構成 = シングル高さ = 1.1mmRNシリーズシングルデジタルトランジスタ. 東芝のシングルデジタルトランジスタです。バイアス抵抗器を内蔵し、デジタルソースから直接駆動できます。NPNタイプとPNPタイプの両タイプが用意されています。RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN パワートランジスタ， 50 V， 7 A， 3-Pin DPAK (TO-252)東芝￥1,698税込￥1,868
1袋(5個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 7 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 160トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.18 V汎用NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 3-Pin ESM東芝￥129税込￥142
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V標準抵抗比 = 0.1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ
Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ， 30 V， 2 A， 5-Pin SMV東芝￥889税込￥978
1袋(10個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SMV実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.1 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = コモンエミッタ最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V、60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 (NPN) V、-7 (PNP) Vピン数 = 51チップ当たりのエレメント数 = 2高さ = 1.1mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin ESM東芝￥129税込￥142
1袋(5個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V標準抵抗比 = 0.21、1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ， 20 V， 300 mA， 3-Pin SOT-323 (SC-70)東芝￥849税込￥934
1袋(25個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 25 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1トランジスタ素材 = Si小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN パワートランジスタ， 230 V， 15 A， 3-Pin TO-3PN東芝￥519税込￥571
1個
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 230 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 30 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1長さ = 15.5mmNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ， 50 V， 150mA， 6-Pin US東芝￥299税込￥329
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仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = US実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V、60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 (NPN) V、-5 (PNP) V最大動作周波数 = 120 (PNP) MHz、150 (NPN) MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ， 30 V， 2 A， 8-Pin PS東芝￥779税込￥857
1袋(10個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = PS実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.67 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V、60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 (NPN) V、-7 (PNP) Vピン数 = 81チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2.9 x 2.4 x 0.8mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ， 20 V， 300 mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝￥519税込￥571
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 25 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.5mm小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル NPN + PNP デジタルトランジスタ， 50V， 10 kΩ， 6-Pin SM東芝￥329税込￥362
1袋(10個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP1チップ当たりのエレメント数 = 2最大連続コレクタ電流 = 100 (NPN) mA、-100 (PNP) mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 (NPN) V、-50 (PNP) V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMピン数 = 6最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 (NPN) V、-0.3 (PNP) V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 (NPN) V、-10 (PNP) V標準抵抗比 = 1寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mmRNシリーズデュアルデジタルトランジスタ. 東芝のデュアルデジタルトランジスタ製品です。このデバイスは、バイアス抵抗器を内蔵しており、デジタルソースから直接駆動することができます。この製品の構成には、デュアルNPN、デュアルPNP、NPN+PNPなどがあります。RoHS指令(10物質対応)対応
