カテゴリ
- 制御機器(5)
絞り込み
ブランド
- 東芝
- ホンダ(79)
- SAMTEC(9)
- SMC(8)
- 岡崎精工(4)
- RUD(ルッドスパンセットジャパン/旧:ルッドリフティングジャパン)(4)
- マサル工業(3)
- SENSIRION(3)
- MAD MAX(マッドマックス)(2)
- PEM(旧ユーロテック)(2)
- イマオコーポレーション(1)
- JST(日本圧着端子製造)(1)
- 光(1)
- 国際電業(1)
- 下村工業(1)
- ケージーパルテック(1)
エコロジープロダクト
RoHS10物質対応(5)
「sfm3」の検索結果
Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 2 A， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ
東芝￥859税込￥9451袋(10個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 140 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 800 mW標準ターンオフ遅延時間 = 92 nsMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 2 A， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ
東芝￥829税込￥9121袋(10個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 225 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 800 mW動作温度 Max = +150 ℃MOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 20 V， 500 mA， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ
東芝￥429税込￥4721袋(10個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.52 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 46 pF @ 10 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 330 mA， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ
東芝￥159税込￥1751袋(10個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオン遅延時間 = 90 nsMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 2.2 A， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ
東芝￥859税込￥9451袋(10個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 135 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 800 mW長さ = 2mmMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
