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Toshiba Pチャンネル MOSFET， 30 V， 16 A， 8 ピンパッケージSOP
東芝
￥399税込￥439
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6.9 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、+20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W寸法 = 5.5 x 4.4 x 1.5mmMOSFET Pチャンネル、TPCシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
東芝，整流ダイオード， 2A， 30V， 2-Pin M-FLAT
東芝
￥839税込￥923
1袋(25個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = M-FLATピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 370mV長さ = 3.8mm幅 = 2.4mm高さ = 0.98mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 40Aショットキーバリアダイオード、CMS / CRS / CUSシリーズRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PチャンネルパワーMOSFET
東芝
￥1,498税込￥1,648
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様MOSFET Pチャンネル、TPCシリーズ、東芝実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)1.9チャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧(V)2カテゴリーパワーMOSFET
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Toshiba PNP 高電圧パワートランジスタ， 600 V， 500mA， 3-Pin DPAK (TO-252)
東芝
￥709税込￥780
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 70トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -600 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 V最大動作周波数 = 35 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 5.5mm高電圧トランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP パワートランジスタ， 50 V， 5 A， 3-Pin DPAK (TO-252)
東芝
￥999税込￥1,099
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.27 V汎用PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
2回路 2入力ORゲート CMOS SOT505
東芝
￥84税込￥92
1個
3日以内出荷
電源電圧(V)2～6動作温度(℃)-40 - 85回路数2RoHS指令(10物質対応)対応パッケージ8-TSSOP実装タイプ面実装ロジック機能ORゲート入力数2
Toshiba 正電圧 3端子レギュレータ， 1A， 12.6 V 固定出力， 3-Pin HSOP
東芝
￥619税込￥681
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様出力電圧 = 12.6 V出力電流 Max = 1Aパッケージタイプ = HSOP出力タイプ = 固定実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 19 V入力電圧 Max = 33 Vピン数 = 3動作温度 Min = -30 ℃動作温度 Max = +150 ℃出力数 = 1極性 = 正静止電流 = 8mAリニア電圧レギュレータ、東芝. 業界標準パッケージ電圧レギュレータIC 熱保護 / 短絡保護RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN ダーリントントランジスタ
東芝
￥1,398税込￥1,538
1袋(5個)
欠品中
仕様NPNダーリントントランジスタ、東芝幅(mm)6.5ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大連続コレクタ電流(A)4最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)80最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタカットオフ電流(mA)0.02最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧(V)1.5最大ベース-エミッタ間飽和電圧(V)2最大コレクタ-ベース間電圧(V)100トランジスタ構成シングルトランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン2000
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 60 V， 15 A， 8 ピンパッケージSOP TPC シリーズ
東芝
￥349税込￥384
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 22.3 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 2.8 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 1620 pF @ 10 VMOSFET Nチャンネル、TPCAxxxx、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
3回路シュミットインバータ SOT-505
東芝
￥129税込￥142
1個
3日以内出荷
機能Triple Schmitt InverterRoHS指令(10物質対応)対応パッケージSSOP8-P-0.65動作電圧(V)2～6
Toshiba NPN パワートランジスタ， 50 V， 7 A， 3-Pin DPAK (TO-252)
東芝
￥1,798税込￥1,978
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 7 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 160トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.18 V汎用NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN 高電圧パワートランジスタ， 400 V， 2 A， 3-Pin DPAK (TO-252)
東芝
￥1,198税込￥1,318
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 600 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 6.5 x 5.5 x 2.3mm高電圧トランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN バイポーラトランジスタ
東芝
￥999税込￥1,099
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様汎用NPNトランジスタ、東芝幅(mm)5.5ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)80最大パワー消費(W)10最大エミッタ-ベース間電圧(V)9最大コレクタ-ベース間電圧(V)160トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)3トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン100最大動作周波数(MHz)150
Toshiba HCT バッファ非反転， 8ピン SSOP
東芝
￥329税込￥362
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様ロジックファミリー = HCTロジック機能 = バッファ，ラインドライバチャンネル数 = 2シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 8高レベル出力電流 Max = -6mA低レベル出力電流 Max = 6mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 33 ns @ 4.5 V寸法 = 2.9 x 2.8 x 1.1mm動作温度 Min = -40 ℃TC7WTシリーズ. プロセス: CMOS 電源電圧: 4.5 → 5.5 VRoHS指令(10物質対応)対応
東芝，整流ダイオード，コモンアノードペア+コモンカソードペア， 300mA， 85V， 6-Pin
東芝
￥1,298税込￥1,428
1袋(25個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = コモンアノードペア+コモンカソードペア整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 85V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 6最大順方向降下電圧 = 1.2V長さ = 2mm幅 = 1.25mm高さ = 0.9mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク逆電流 = 500nA汎用整流ダイオード、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ， 50 V， 150mA， 6-Pin US
東芝
￥299税込￥329
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = US実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V、60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 (NPN) V、-5 (PNP) V最大動作周波数 = 120 (PNP) MHz、150 (NPN) MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応