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ロジック東芝

￥58税込￥64

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Toshiba PNP トランジスタ東芝

￥5,298税込￥5,828

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トランジスタタイプPNPトランジスタ構成シングル最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1

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Toshiba LDOレギュレータ 200mA， 3 V 固定出力， 3.2～15 V入力， 5-Pin SSOP東芝

￥399税込￥439

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仕様出力電圧 = 3 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = SSOP出力電流 Max = 200mA実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 3.2 V入力電圧 Max = 15 Vピン数 = 5極性 = 正静止電流 = 0.17mA動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃パワーレーティング = 0.38W幅 = 1.6mmポイントレギュレータ(低ドロップアウトレギュレータ)、シングル出力、バイポーラタイプ、東芝. 低ドロップアウト電圧制御端子付き(オン / オフ制御) 入力安定性3 mV (通常)、15 mV (最大) 負荷安定性25 mV (通常)、75 mV (最大)RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NPN トランジスタ東芝

￥1,498税込￥1,648

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実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大エミッタ-ベース間電圧(V)5トランジスタ構成シングルトランジスタタイプNPN

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Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 330 mA， 3 ピンパッケージUFM SSM3 シリーズ東芝

￥139税込￥153

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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオン遅延時間 = 90 nsMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

トランジスタ東芝

￥29税込￥32

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仕様●パッケージ：USM●Vceo：12V●Ic：30mA●Pc(Ta=25℃)：100mW●hFE：35～130●fT(typ)：4●コンプリメンタリ：2SC4247アズワン品番67-0400-65

Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ， 50 V， 150mA， 6-Pin US東芝

￥299税込￥329

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仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = US実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V、60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 (NPN) V、-5 (PNP) V最大動作周波数 = 120 (PNP) MHz、150 (NPN) MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NPN トランジスタ， 20 V， 300 mA， 3-Pin SOT-323 (SC-70)東芝

￥879税込￥967

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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 25 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1トランジスタ素材 = Si小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ， 30 V， 2 A， 5-Pin SMV東芝

￥889税込￥978

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仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SMV実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.1 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = コモンエミッタ最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V、60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 (NPN) V、-7 (PNP) Vピン数 = 51チップ当たりのエレメント数 = 2高さ = 1.1mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba PNP トランジスタ， 30 V， 500mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝

￥1,998税込￥2,198

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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -35 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.25 V小信号PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ， 30 V， 2 A， 8-Pin PS東芝

￥799税込￥879

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仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = PS実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.67 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V、60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 (NPN) V、-7 (PNP) Vピン数 = 81チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2.9 x 2.4 x 0.8mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NPN トランジスタ， 20 V， 300 mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝

￥519税込￥571

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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 25 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.5mm小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 330 mA， 3 ピンパッケージSSM SSM3 シリーズ東芝

￥289税込￥318

1袋(10個)

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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 150 mW長さ = 1.6mmMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

東芝，ショットキーバリアダイオード，絶縁型， 300mA， 45V， 6-Pin SOT-363 (SC-88)東芝

￥799税込￥879

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仕様ダイオード構成 = 絶縁型1チップ当たりのエレメント数 = 3ピーク逆繰返し電圧 = 45V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 6長さ = 2mm幅 = 1.25mm高さ = 0.9mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1A小信号ショットキーバリアダイオード、HN2Sシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba コンパレータ， 3～5 V，プッシュープル出力， 5-Pin SSOP東芝

￥349税込￥384

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仕様コンパレータタイプ = 汎用実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOP電源タイプ = シングル出力タイプ = プッシュ-プル1チップ当たりのチャンネル数 = 1標準応答時間 = 0.06μsピン数 = 5標準シングル供給電圧 = 3 → 5 V寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mm長さ = 2.9mm幅 = 1.6mm高さ = 1.1mm標準電圧ゲイン = 94 dBコンパレータ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba Pチャンネル MOSFET， 30 V， 2 A， 6 ピンパッケージUF東芝

￥719税込￥791

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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 225 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = UF実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオフ遅延時間 = 35 nsデュアルMOSFET Pチャンネル、SSM6Pxx、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ， 30 V， 1.2 A， 5-Pin SMV東芝

￥239税込￥263

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仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 1.2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SMV実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 850 mW最小DC電流ゲイン = 125トランジスタ構成 = コモンエミッタ最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V、50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 (NPN) V、-7 (PNP) Vピン数 = 51チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba Nチャンネル小信号 MOSFET， 20 V， 100 mA， 3 ピンパッケージSSM SSM3 シリーズ東芝

￥299税込￥329

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba LDOレギュレータ 200mA， 3.3 V 固定出力， 3.5～15 V入力， 5-Pin SSOP東芝

￥419税込￥461

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仕様出力電圧 = 3.3 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = SSOP出力電流 Max = 200mA実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 3.5 V入力電圧 Max = 15 Vピン数 = 5出力数 = 1静止電流 = 0.17mA動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃パワーレーティング = 0.38Wイネーブル = ありポイントレギュレータ(低ドロップアウトレギュレータ)、シングル出力、バイポーラタイプ、東芝. 低ドロップアウト電圧制御端子付き(オン / オフ制御) 入力安定性3 mV (通常)、15 mV (最大) 負荷安定性25 mV (通常)、75 mV (最大)RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 3 A， 3 ピンパッケージUFM東芝

￥659税込￥725

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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 260 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ素材 = SiMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba 4チャンネル ESD保護ダイオード， 5-Pin ESV東芝

￥1,298税込￥1,428

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仕様ダイオード構成 = コモンアノード実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESVピン数 = 51チップ当たりのエレメント数 = 4動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃最大逆漏れ電流 = 1μAESD保護ダイオード(2 in 1、4 in 1、5 in 1、7 in 1)RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 2 A， 3 ピンパッケージUFM SSM3 シリーズ東芝

￥779税込￥857

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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 140 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 800 mW標準ターンオフ遅延時間 = 92 nsMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba ロジックゲート， -24mA， 1.65～5.5 V， 5-Pin SON 2-入力東芝

￥369税込￥406

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仕様ロジック機能 = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SONピン数 = 5入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = +24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 4.9ns動作供給電圧 Min = 1.65 V低レベル出力電流 Max = -24mA出力タイプ = CMOSTC7Sシリーズ. プロセス: CMOS 電源電圧: 2.0 → 6.0 VRoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba LDOレギュレータ 200mA， 3 V 固定出力， 3.2～15 V入力， 5-Pin UFV東芝

￥739税込￥813

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仕様出力電圧 = 3 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = UFV出力電流 Max = 200mA実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 3.2 V入力電圧 Max = 15 Vピン数 = 5出力数 = 1静止電流 = 0.17mA動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃パワーレーティング = 0.45Wイネーブル = ありLDO(低ドロップアウト)レギュレータ、AR5Sシリーズ、東芝. セラミックコンデンサに適合シャットダウン機能実装RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba 74 CMOSシリーズフリップフロップIC 2～6 V， 8-Pin SSOP東芝

￥599税込￥659

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仕様ロジックファミリー = CMOSロジック機能 = D タイプ入力タイプ = LS-TTL出力タイプ = C2MOS実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 81チップ当たりのエレメント数 = 1最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF寸法 = 2.9 x 2.8 x 1.1mm動作温度 Max = +85 ℃L-MOS高速シリーズ、東芝. 東芝L-MOS高速シリーズは、低消費電力CMOSデバイスの利点を維持しながら、LSTTLデバイスと同様の動作速度を実現しています。. 高速動作: 標準伝播遅延時間 - 7 ns @ 5 V 低消費電力優れたノイズ耐性出力ドライブ機能: 5 LSTTL負荷対称型出力ドライブ容量広い動作電圧範囲: 2 → 6 VRoHS指令(10物質対応)対応

東芝，整流ダイオード，コモンアノードペア+コモンカソードペア， 300mA， 85V， 6-Pin東芝

￥1,098税込￥1,208

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仕様ダイオード構成 = コモンアノードペア+コモンカソードペア整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 85V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 6最大順方向降下電圧 = 1.2V長さ = 2mm幅 = 1.25mm高さ = 0.9mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク逆電流 = 500nA汎用整流ダイオード、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba コンパレータ， 3～5V，プッシュープル出力， 5-Pin SSOP東芝

￥419税込￥461

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仕様コンパレータタイプ = 汎用実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOP電源タイプ = デュアル，シングル出力タイプ = プッシュ-プル1チップ当たりのチャンネル数 = 1標準応答時間 = 0.011μsピン数 = 5標準シングル供給電圧 = 3 V、5 V寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mm長さ = 2.9mm幅 = 1.6mm高さ = 1.1mm標準デュアル供給電圧 = ±3Vコンパレータ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba LMOSシリーズインバータ(NOTゲート)， 8mA， 4.5～5.5 V， 5-Pin SSOP東芝

￥279税込￥307

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仕様ロジック機能 = インバータ入力タイプ = シュミットトリガー1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9.6 ns @ 5 V高レベル出力電流 Max = -8mA低レベル出力電流 Max = 8mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 5ロジックファミリー = LMOS寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mm動作供給電圧 Min = 4.5 VTC7SETシリーズ. プロセス: CMOS 電源電圧: 4.5 → 5.5 VRoHS指令(10物質対応)対応

東芝，整流ダイオード， 1A， 30V， 2-Pin S-FLAT東芝

￥1,998税込￥2,198

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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = S-FLATピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 390mV長さ = 2.6mm幅 = 1.6mm高さ = 0.98mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 20Aショットキーバリアダイオード、CMS / CRS / CUSシリーズRoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba Pチャンネル小信号 MOSFET， 30 V， 2 A， 3 ピンパッケージUFM SSM3 シリーズ東芝

￥789税込￥868

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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 225 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 800 mW動作温度 Max = +150 ℃MOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba Nチャンネル小信号 MOSFET， 30 V， 100 mA， 3 ピンパッケージSSM SSM3 シリーズ東芝

￥259税込￥285

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW標準ターンオフ遅延時間 = 180 nsMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba Nチャンネル小信号 MOSFET， 30 V， 2.2 A， 3 ピンパッケージUFM SSM3 シリーズ東芝

￥759税込￥835

1袋(10個)

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 135 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 800 mW長さ = 2mmMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba PNP バイポーラトランジスタ， 20 V， 1.5 A， 3-Pin TSM東芝

￥299税込￥329

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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = TSM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 750 mW最小DC電流ゲイン = 125トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -20 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.6mm汎用PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba LDOレギュレータ 200mA， 1.8 V 固定出力， 2.4～15 V入力， 5-Pin UFV東芝

￥429税込￥472

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仕様出力電圧 = 1.8 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = UFV出力電流 Max = 200mA実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 2.4 V入力電圧 Max = 15 Vピン数 = 5出力数 = 1静止電流 = 0.17mA動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃パワーレーティング = 0.45Wロードレギュレーション = 75 mVLDO(低ドロップアウト)レギュレータ、AR5Sシリーズ、東芝. セラミックコンデンサに適合シャットダウン機能実装RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba 4チャンネル ESD保護ダイオード， 5-Pin USV東芝

￥439税込￥483

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仕様ダイオード構成 = コモンアノード実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = USVピン数 = 51チップ当たりのエレメント数 = 4動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +125 ℃幅 = 1.25mmESD保護ダイオード(2 in 1、4 in 1、5 in 1、7 in 1)RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba LDOレギュレータ 200mA， 4 V 固定出力， 4.2～15 V入力， 5-Pin UFV東芝

￥969税込￥1,066

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様出力電圧 = 4 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = UFV出力電流 Max = 200mA実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 4.2 V入力電圧 Max = 15 Vピン数 = 5極性 = 正静止電流 = 0.17mA動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃パワーレーティング = 0.45W長さ = 2mmLDO(低ドロップアウト)レギュレータ、AR5Sシリーズ、東芝. セラミックコンデンサに適合シャットダウン機能実装RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba L-MOS VHSシリーズシュミットバッファ， 2～5.5 V， 5-Pin SSOP東芝

￥599税込￥659

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仕様ロジックファミリー = L-MOS VHSロジック機能 = シュミットトリガーバッファー1チップ当たりのチャンネル数 = 1入力タイプ = シュミットバス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 5高レベル出力電流 Max = +25mA低レベル出力電流 Max = -25mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 18.5ns寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mm高さ = 1.1mm動作温度 Max = +85 ℃TC7SHシリーズSMVパッケージ. プロセス: CMOS 電源電圧: 2 → 5.5 VRoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba LDOレギュレータ 200mA， 2.5 V 固定出力， 2.7～15 V入力， 5-Pin SSOP東芝

￥979税込￥1,077

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仕様出力電圧 = 2.5 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = SSOP出力電流 Max = 200mA実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 2.7 V入力電圧 Max = 15 Vピン数 = 5極性 = 正静止電流 = 0.17mA動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃パワーレーティング = 0.38W幅 = 1.6mmポイントレギュレータ(低ドロップアウトレギュレータ)、シングル出力、バイポーラタイプ、東芝. 低ドロップアウト電圧制御端子付き(オン / オフ制御) 入力安定性3 mV (通常)、15 mV (最大) 負荷安定性25 mV (通常)、75 mV (最大)RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba Nチャンネル MOSFET， 20 V， 500 mA， 3 ピンパッケージUFM SSM3 シリーズ東芝

￥379税込￥417

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.52 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 46 pF @ 10 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

表面実装LDOレギュレータ(1.5V)東芝

￥56税込￥62

1個

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TAR5SxxUシリーズは、オン/オフ制御ピン付きの汎用バイポーラLDOレギュレータで構成されており、過熱保護回路と過電流保護回路を内蔵しています。スタンバイ電流が低い過熱および過電流保護回路を内蔵動作電圧範囲が広い最大出力電流が大きい入出力電圧差が小さい小型パッケージ(SOT-353と同様のUFVパッケージ) 入力/出力コンデンサにセラミックコンデンサを使用できます。

出力電圧(V)1.56(max)出力電流(mA)(Iout)200(x)保存温度範囲(℃)-55～+150消費電力(mW)45RoHS指令(10物質対応)対応動作温度範囲(℃)-40～+85供給電圧(V)15(max)