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東芝 過渡電圧サプレッサ ツェナーダイオード, 6.8V, 700 mW, 2-Pin S-FLAT
東芝¥289税込¥3181袋(25個)翌々日出荷仕様標準ツェナー電圧 = 6.8V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 700 mWパッケージタイプ = S-FLATツェナータイプ = トランジェントサプレッサピン数 = 2テスト電流 = 10mA最大ツェナーインピーダンス = 60Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 2.6mm寸法 = 2.6 x 1.6 x 0.98mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード700 mW、CRYμCRZシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
東芝, 整流ダイオード, 700mA, 400V, 2-Pin S-FLAT
東芝¥1,298税込¥1,4281袋(50個)翌々日出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = S-FLATダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.1V長さ = 2.6mm幅 = 1.6mm高さ = 0.98mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 16.5A高効率高速整流ダイオード、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 4.7 kΩ, 6-Pin US
東芝¥1,398税込¥1,5381袋(25個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 2最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩベースエミッタ抵抗器 = 4.7kΩパッケージタイプ = USピン数 = 6最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1幅 = 1.25mm抵抗組み込みトランジスタ、BRTシリーズ、2イン1 US6、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
東芝 過渡電圧サプレッサ ツェナーダイオード, 15V, 700 mW, 2-Pin S-FLAT
東芝¥289税込¥3181袋(25個)翌々日出荷仕様標準ツェナー電圧 = 15V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 700 mWパッケージタイプ = S-FLATツェナータイプ = トランジェントサプレッサピン数 = 2テスト電流 = 10mA最大ツェナーインピーダンス = 30Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 2.6mm寸法 = 2.6 x 1.6 x 0.98mm幅 = 1.6mmツェナーダイオード700 mW、CRYμCRZシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 4.7 kΩ, 5-Pin SSOP
東芝¥1,398税込¥1,5381袋(25個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 2最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩベースエミッタ抵抗器 = 4.7kΩパッケージタイプ = SSOPピン数 = 5最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = コモンエミッタ最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Max = +150 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、2-in-1 SMV、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN バイポーラトランジスタ, 30 V, 3 A, 3-Pin TSM
東芝¥819税込¥9011袋(10個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = TSM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.14 V汎用NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 20 V, 50 mA, 3 ピン パッケージUSM 2SK シリーズ
東芝¥289税込¥3181枚(10個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V, +10 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW標準ターンオフ遅延時間 = 140 nsMOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP バイポーラトランジスタ, 50 V, 2 A, 3-Pin TSM
東芝¥599税込¥6591袋(10個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TSM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = -1.1 V汎用PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 20 V, 500 mA, 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ
東芝¥379税込¥4171袋(10個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.52 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V, +10 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 46 pF @ 10 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET, 20 V, 330 mA, 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ
東芝¥139税込¥1531袋(10個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオン遅延時間 = 90 nsMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba LDOレギュレータ 200mA, 4 V 固定出力, 4.2~15 V入力, 5-Pin UFV
東芝¥969税込¥1,0661袋(10個)翌々日出荷仕様出力電圧 = 4 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = UFV出力電流 Max = 200mA実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 4.2 V入力電圧 Max = 15 Vピン数 = 5極性 = 正静止電流 = 0.17mA動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃パワーレーティング = 0.45W長さ = 2mmLDO(低ドロップアウト)レギュレータ、AR5Sシリーズ、東芝. セラミックコンデンサに適合 シャットダウン機能実装RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba LDOレギュレータ 200mA, 1.8 V 固定出力, 2.4~15 V入力, 5-Pin UFV
東芝¥429税込¥4721袋(10個)翌々日出荷仕様出力電圧 = 1.8 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = UFV出力電流 Max = 200mA実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 2.4 V入力電圧 Max = 15 Vピン数 = 5出力数 = 1静止電流 = 0.17mA動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃パワーレーティング = 0.45Wロードレギュレーション = 75 mVLDO(低ドロップアウト)レギュレータ、AR5Sシリーズ、東芝. セラミックコンデンサに適合 シャットダウン機能実装RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba LDOレギュレータ 200mA, 2.5 V 固定出力, 2.7~15 V入力, 5-Pin SSOP
東芝¥979税込¥1,0771袋(10個)翌々日出荷仕様出力電圧 = 2.5 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = SSOP出力電流 Max = 200mA実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 2.7 V入力電圧 Max = 15 Vピン数 = 5極性 = 正静止電流 = 0.17mA動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃パワーレーティング = 0.38W幅 = 1.6mmポイントレギュレータ(低ドロップアウトレギュレータ)、シングル出力、バイポーラタイプ、東芝. 低ドロップアウト電圧 制御端子付き(オン / オフ制御) 入力安定性3 mV (通常)、15 mV (最大) 負荷安定性25 mV (通常)、75 mV (最大)RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 4チャンネル ESD保護ダイオード, 5-Pin USV
東芝¥439税込¥4831袋(10個)翌々日出荷仕様ダイオード構成 = コモンアノード実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = USVピン数 = 51チップ当たりのエレメント数 = 4動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +125 ℃幅 = 1.25mmESD保護ダイオード(2 in 1、4 in 1、5 in 1、7 in 1)RoHS指令(10物質対応)対応
トランジスタ
東芝¥27税込¥301個3日以内出荷東芝トランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形(PCT方式) 低周波小電力増幅用 電力スイッチング用 直流電流増幅率が高い。:hFE(1)=120~400 コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低い・:VCE(sat)=-0.2V(最大)(IC=-400mA,IB=-8mA) 小型モータのドライブ様に適します。電圧(V)Vceo:-15周波数帯域(MHz)fT(typ):120電流(mA)Ic:-800hFE120~240パッケージS-Mini電力(mW)Pc(Ta=25℃):200
Toshiba LDOレギュレータ 200mA, 3.3 V 固定出力, 3.5~15 V入力, 5-Pin SSOP
東芝¥419税込¥4611袋(10個)翌々日出荷仕様出力電圧 = 3.3 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = SSOP出力電流 Max = 200mA実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 3.5 V入力電圧 Max = 15 Vピン数 = 5出力数 = 1静止電流 = 0.17mA動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃パワーレーティング = 0.38Wイネーブル = ありポイントレギュレータ(低ドロップアウトレギュレータ)、シングル出力、バイポーラタイプ、東芝. 低ドロップアウト電圧 制御端子付き(オン / オフ制御) 入力安定性3 mV (通常)、15 mV (最大) 負荷安定性25 mV (通常)、75 mV (最大)RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba LDOレギュレータ 200mA, 3 V 固定出力, 3.2~15 V入力, 5-Pin SSOP
東芝¥399税込¥4391袋(10個)翌々日出荷仕様出力電圧 = 3 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = SSOP出力電流 Max = 200mA実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 3.2 V入力電圧 Max = 15 Vピン数 = 5極性 = 正静止電流 = 0.17mA動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃パワーレーティング = 0.38W幅 = 1.6mmポイントレギュレータ(低ドロップアウトレギュレータ)、シングル出力、バイポーラタイプ、東芝. 低ドロップアウト電圧 制御端子付き(オン / オフ制御) 入力安定性3 mV (通常)、15 mV (最大) 負荷安定性25 mV (通常)、75 mV (最大)RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 2.2 A, 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ
東芝¥759税込¥8351袋(10個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 135 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V, +12 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 800 mW長さ = 2mmMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ
東芝¥5,298税込¥5,8281袋(25個)翌々日出荷トランジスタタイプPNPトランジスタ構成シングル最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1
Toshiba 74 CMOSシリーズ フリップフロップIC 2~6 V, 8-Pin SSOP
東芝¥599税込¥6591袋(10個)翌々日出荷仕様ロジックファミリー = CMOSロジック機能 = D タイプ入力タイプ = LS-TTL出力タイプ = C2MOS実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 81チップ当たりのエレメント数 = 1最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF寸法 = 2.9 x 2.8 x 1.1mm動作温度 Max = +85 ℃L-MOS高速シリーズ、東芝. 東芝L-MOS高速シリーズは、低消費電力CMOSデバイスの利点を維持しながら、LSTTLデバイスと同様の動作速度を実現しています。. 高速動作: 標準伝播遅延時間 - 7 ns @ 5 V 低消費電力 優れたノイズ耐性 出力ドライブ機能: 5 LSTTL負荷 対称型出力ドライブ容量 広い動作電圧範囲: 2 → 6 VRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba LDOレギュレータ 200mA, 3 V 固定出力, 3.2~15 V入力, 5-Pin UFV
東芝¥739税込¥8131袋(10個)翌々日出荷仕様出力電圧 = 3 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = UFV出力電流 Max = 200mA実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 3.2 V入力電圧 Max = 15 Vピン数 = 5出力数 = 1静止電流 = 0.17mA動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃パワーレーティング = 0.45Wイネーブル = ありLDO(低ドロップアウト)レギュレータ、AR5Sシリーズ、東芝. セラミックコンデンサに適合 シャットダウン機能実装RoHS指令(10物質対応)対応
東芝, 整流ダイオード, コモンアノードペア+コモンカソードペア, 300mA, 85V, 6-Pin
東芝¥1,098税込¥1,2081袋(25個)翌々日出荷仕様ダイオード構成 = コモンアノードペア+コモンカソードペア整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 85V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 6最大順方向降下電圧 = 1.2V長さ = 2mm幅 = 1.25mm高さ = 0.9mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク逆電流 = 500nA汎用整流ダイオード、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ, 20 V, 300 mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
東芝¥519税込¥5711袋(25個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 25 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.5mm小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ, 30 V, 500mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
東芝¥1,998税込¥2,1981袋(50個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -35 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.25 V小信号PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ, 30 V, 2 A, 8-Pin PS
東芝¥799税込¥8791袋(10個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = PS実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.67 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V、60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 (NPN) V、-7 (PNP) Vピン数 = 81チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2.9 x 2.4 x 0.8mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba コンパレータ, 3~5 V, プッシュープル出力, 5-Pin SSOP
東芝¥349税込¥3841袋(5個)翌々日出荷仕様コンパレータタイプ = 汎用実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOP電源タイプ = シングル出力タイプ = プッシュ-プル1チップ当たりのチャンネル数 = 1標準応答時間 = 0.06μsピン数 = 5標準シングル供給電圧 = 3 → 5 V寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mm長さ = 2.9mm幅 = 1.6mm高さ = 1.1mm標準電圧ゲイン = 94 dBコンパレータ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
東芝, ショットキーバリアダイオード, 絶縁型, 300mA, 45V, 6-Pin SOT-363 (SC-88)
東芝¥799税込¥8791袋(25個)翌々日出荷仕様ダイオード構成 = 絶縁型1チップ当たりのエレメント数 = 3ピーク逆繰返し電圧 = 45V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 6長さ = 2mm幅 = 1.25mm高さ = 0.9mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1A小信号ショットキーバリアダイオード、HN2Sシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ
東芝¥1,498税込¥1,6481袋(25個)翌々日出荷実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大エミッタ-ベース間電圧(V)5トランジスタ構成シングルトランジスタタイプNPN
Toshiba コンパレータ, 3~5V, プッシュープル出力, 5-Pin SSOP
東芝¥419税込¥4611袋(10個)翌々日出荷仕様コンパレータタイプ = 汎用実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOP電源タイプ = デュアル, シングル出力タイプ = プッシュ-プル1チップ当たりのチャンネル数 = 1標準応答時間 = 0.011μsピン数 = 5標準シングル供給電圧 = 3 V、5 V寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mm長さ = 2.9mm幅 = 1.6mm高さ = 1.1mm標準デュアル供給電圧 = ±3Vコンパレータ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 2 A, 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ
東芝¥789税込¥8681袋(10個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 225 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 800 mW動作温度 Max = +150 ℃MOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba ロジックゲート, -24mA, 1.65~5.5 V, 5-Pin SON 2-入力
東芝¥369税込¥4061袋(10個)翌々日出荷仕様ロジック機能 = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SONピン数 = 5入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = +24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 4.9ns動作供給電圧 Min = 1.65 V低レベル出力電流 Max = -24mA出力タイプ = CMOSTC7Sシリーズ. プロセス: CMOS 電源電圧: 2.0 → 6.0 VRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET, 20 V, 3 A, 3 ピン パッケージUFM
東芝¥659税込¥7251袋(10個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 260 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ素材 = SiMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 4チャンネル ESD保護ダイオード, 5-Pin ESV
東芝¥1,298税込¥1,4281袋(25個)翌々日出荷仕様ダイオード構成 = コモンアノード実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESVピン数 = 51チップ当たりのエレメント数 = 4動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃最大逆漏れ電流 = 1μAESD保護ダイオード(2 in 1、4 in 1、5 in 1、7 in 1)RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET, 20 V, 2 A, 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ
東芝¥779税込¥8571袋(10個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 140 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 800 mW標準ターンオフ遅延時間 = 92 nsMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 20 V, 100 mA, 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ
東芝¥299税込¥3291袋(10個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V, +10 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
表面実装LDOレギュレータ(1.5V)
東芝¥56税込¥621個3日以内出荷TAR5SxxUシリーズは、オン/オフ制御ピン付きの汎用バイポーラLDOレギュレータで構成されており、過熱保護回路と過電流保護回路を内蔵しています。 スタンバイ電流が低い 過熱および過電流保護回路を内蔵 動作電圧範囲が広い 最大出力電流が大きい 入出力電圧差が小さい 小型パッケージ(SOT-353と同様のUFVパッケージ) 入力/出力コンデンサにセラミックコンデンサを使用できます。出力電圧(V)1.56(max)出力電流(mA)(Iout)200(x)保存温度範囲(℃)-55~+150消費電力(mW)45RoHS指令(10物質対応)対応動作温度範囲(℃)-40~+85供給電圧(V)15(max)
東芝, 整流ダイオード, 1A, 30V, 2-Pin S-FLAT
東芝¥1,998税込¥2,1981袋(50個)翌々日出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = S-FLATピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 390mV長さ = 2.6mm幅 = 1.6mm高さ = 0.98mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 20Aショットキーバリアダイオード、CMS / CRS / CUSシリーズRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba LMOSシリーズ インバータ(NOTゲート), 8mA, 4.5~5.5 V, 5-Pin SSOP
東芝¥279税込¥3071袋(5個)翌々日出荷仕様ロジック機能 = インバータ入力タイプ = シュミットトリガー1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9.6 ns @ 5 V高レベル出力電流 Max = -8mA低レベル出力電流 Max = 8mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 5ロジックファミリー = LMOS寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mm動作供給電圧 Min = 4.5 VTC7SETシリーズ. プロセス: CMOS 電源電圧: 4.5 → 5.5 VRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET, 30 V, 2 A, 6 ピン パッケージUF
東芝¥719税込¥7911袋(10個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 225 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = UF実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオフ遅延時間 = 35 nsデュアルMOSFET Pチャンネル、SSM6Pxx、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
































