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  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 207 A, 3 ピン パッケージTO-220 TK シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 207 A, 3 ピン パッケージTO-220 TK シリーズ

    東芝
    839税込923
    1個
    当日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 207 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 255 W標準ターンオフ遅延時間 = 140 nsMOSFET N-Channel, TK100 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル MOSFET, 650 V, 11.1 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) DTMOSIV シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル MOSFET, 650 V, 11.1 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) DTMOSIV シリーズ

    東芝
    489税込538
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 440 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 100 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル MOSFET, 650 V, 13.7 A, 3 ピン パッケージD2PAK (TO-263) DTMOSIV シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル MOSFET, 650 V, 13.7 A, 3 ピン パッケージD2PAK (TO-263) DTMOSIV シリーズ

    東芝
    1,298税込1,428
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 13.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 250 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = D2PAK (TO-263)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 130 W寸法 = 10.35 x 8.8 x 4.46mmMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル MOSFET, 650 V, 17 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル MOSFET, 650 V, 17 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ

    東芝
    2,898税込3,188
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 17 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 500 V, 18.5 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 500 V, 18.5 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ

    東芝
    2,898税込3,188
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 40 W順方向ダイオード電圧 = 1.7VMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル MOSFET 東芝

    Toshiba Nチャンネル MOSFET

    東芝(1件のレビュー)
    539税込593
    1個ほか
    翌々日出荷から7日以内出荷
    チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型
  • Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 100 A, 3 ピン パッケージTO-3PL DTMOSIV シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 100 A, 3 ピン パッケージTO-3PL DTMOSIV シリーズ

    東芝
    4,898税込5,388
    1個
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 18 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-3PL実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 797 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK100 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 650 V, 11.1 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 650 V, 11.1 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ

    東芝
    2,998税込3,298
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 390 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W標準ターンオフ遅延時間 = 85 nsMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 9.7 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 9.7 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ

    東芝
    649税込714
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 380 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 11.5 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 11.5 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ

    東芝
    1,198税込1,318
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル MOSFET, 40 V, 15 A, 3 ピン パッケージDPAK+ (TO-252) U-MOSVIII-H シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル MOSFET, 40 V, 15 A, 3 ピン パッケージDPAK+ (TO-252) U-MOSVIII-H シリーズ

    東芝
    459税込505
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 37 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = DPAK+ (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 46 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 800 V, 10 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 800 V, 10 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ

    東芝
    5,998税込6,598
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 50 W幅 = 4.5mmMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 11.5 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) DTMOSIV シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 11.5 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) DTMOSIV シリーズ

    東芝
    2,198税込2,418
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 340 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 100 W標準ターンオフ遅延時間 = 85 nsMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 15.8 A, 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 15.8 A, 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ

    東芝
    1,598税込1,758
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 230 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 130 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 263 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 263 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ

    東芝
    2,398税込2,638
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 263 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.2 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK100 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 11.5 A, 3 ピン パッケージTO-3P TK シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 11.5 A, 3 ピン パッケージTO-3P TK シリーズ

    東芝
    519税込571
    1個
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 110 W動作温度 Max = +150 ℃MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 9.7 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) TK シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 9.7 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) TK シリーズ

    東芝
    639税込703
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 430 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 80 W幅 = 7.18mmMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET

    東芝
    669税込736
    1個ほか
    当日出荷から7日以内出荷
    チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 58 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 58 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ

    東芝
    869税込956
    1袋(5個)
    当日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 20 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 20 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ

    東芝
    3,998税込4,398
    1袋(5個)
    当日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 175 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 900 V, 9 A, 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 900 V, 9 A, 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ

    東芝(1件のレビュー)
    999税込1,099
    1個
    当日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 250 V, 30 A, 3 ピン パッケージTO-3PN 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 250 V, 30 A, 3 ピン パッケージTO-3PN

    東芝(1件のレビュー)
    3,698税込4,068
    1袋(5個)
    当日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.06 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = +20 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 260 W @ 25 ℃1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル MOSFET, 60 V, 60 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル MOSFET, 60 V, 60 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ

    東芝
    1,498税込1,648
    1袋(10個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W標準ターンオフ遅延時間 = 36 nsMOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 39 A, 3 ピン パッケージTO-247 TK シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 39 A, 3 ピン パッケージTO-247 TK シリーズ

    東芝
    1,198税込1,318
    1個
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 39 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 270 Wトランジスタ素材 = SiMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 31 A, 3 ピン パッケージTO-247 DTMOSIV シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 31 A, 3 ピン パッケージTO-247 DTMOSIV シリーズ

    東芝
    879税込967
    1袋(2個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 230 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 650 V, 27.6 A, 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 650 V, 27.6 A, 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ

    東芝(1件のレビュー)
    2,398税込2,638
    1袋(2個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 27.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 110 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 230 W順方向ダイオード電圧 = 1.7VMOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 25 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 25 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ

    東芝
    5,198税込5,718
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル MOSFET, 60 V, 60 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS U-MOSVIII-H シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル MOSFET, 60 V, 60 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS U-MOSVIII-H シリーズ

    東芝
    1,498税込1,648
    1袋(10個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル MOSFET, 120 V, 60 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル MOSFET, 120 V, 60 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ

    東芝
    1,098税込1,208
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 120 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.8 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W幅 = 4.5mmMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 31 A, 3 ピン パッケージTO-220 TK シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 31 A, 3 ピン パッケージTO-220 TK シリーズ

    東芝
    1,998税込2,198
    1袋(2個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 230 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 80 V, 157 A, 3 ピン パッケージTO-220 U-MOSVIII-H シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 80 V, 157 A, 3 ピン パッケージTO-220 U-MOSVIII-H シリーズ

    東芝
    2,198税込2,418
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 157 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.3 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 192 W長さ = 10.16mmMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 650 V, 49 A, 3 ピン パッケージTO-247 TK シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 650 V, 49 A, 3 ピン パッケージTO-247 TK シリーズ

    東芝
    1,798税込1,978
    1個
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 49 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 55 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 400 W幅 = 5.02mmMOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 39 A, 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 39 A, 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ

    東芝
    2,998税込3,298
    1個
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 39 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 270 Wシリーズ = TKMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 62 A, 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 62 A, 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ

    東芝
    2,998税込3,298
    1個
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    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 62 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 400 W標準ターンオフ遅延時間 = 310 nsMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 25 A, 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 25 A, 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ

    東芝
    3,798税込4,178
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 180 W標準ターンオフ遅延時間 = 90 nsMOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 61.8 A, 3 ピン パッケージTO-247 DTMOSIV-H シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 61.8 A, 3 ピン パッケージTO-247 DTMOSIV-H シリーズ

    東芝
    2,998税込3,298
    1個
    欠品中
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 61.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 400 W順方向ダイオード電圧 = 1.7VMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 39 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 39 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ

    東芝
    1,498税込1,648
    1個
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 39 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 50 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 20 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 20 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ

    東芝
    4,198税込4,618
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 155 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル MOSFET, 650 V, 6.8 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) DTMOSIV シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル MOSFET, 650 V, 6.8 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) DTMOSIV シリーズ

    東芝
    939税込1,033
    1袋(10個)
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    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 800 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 60 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 650 V, 9.3 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 650 V, 9.3 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ

    東芝
    1,998税込2,198
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
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