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Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 100 V， 207 A， 3 ピンパッケージTO-220 TK シリーズ
東芝
￥799税込￥879
1個
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 207 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 255 W標準ターンオフ遅延時間 = 140 nsMOSFET N-Channel， TK100 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 800 V， 10 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
￥2,698税込￥2,968
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 50 W幅 = 4.5mmMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET MOSFET， 600 V， 9.7 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ
東芝
￥579税込￥637
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 380 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータ最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 100 A， 3 ピンパッケージTO-3PL DTMOSIV シリーズ
東芝
￥4,698税込￥5,168
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 18 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3PL実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 797 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK100 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 263 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
￥2,398税込￥2,638
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 263 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.2 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK100 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET
東芝
￥639～税込￥703～
1個ほか
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チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型
バリエーション一覧へ(100)
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 9.7 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) TK シリーズ
東芝
￥639税込￥703
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 430 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 80 W幅 = 7.18mmMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 100 V， 65 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
￥2,298税込￥2,528
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 65 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.8 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応