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RoHS10物質対応(4)
「tk12」の検索結果
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 11.5 A， 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) DTMOSIV シリーズ
東芝￥1,998税込￥2,1981袋(5個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 340 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 100 W標準ターンオフ遅延時間 = 85 nsMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 11.5 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ
東芝￥999税込￥1,0991袋(5個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 11.5 A， 3 ピン パッケージTO-3P TK シリーズ
東芝￥519税込￥5711個翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 110 W動作温度 Max = +150 ℃MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 120 V， 60 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝￥749税込￥8241袋(5個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 120 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.8 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W幅 = 4.5mmMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
