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東芝，整流ダイオード， 1A， 30V， 2-Pin S-FLAT
東芝
￥1,798税込￥1,978
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = S-FLATピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 390mV長さ = 2.6mm幅 = 1.6mm高さ = 0.98mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 20Aショットキーバリアダイオード、CMS / CRS / CUSシリーズRoHS指令(10物質対応)対応
東芝，ショットキーバリアダイオード， 1A， 30V， 2-Pin S-FLAT
東芝
￥359税込￥395
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = S-FLATダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 450mV長さ = 2.6mm幅 = 1.6mm高さ = 0.98mm動作温度 Min = -40 ℃ショットキーバリアダイオード、CMS / CRS / CUSシリーズRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 58 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
￥869税込￥956
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET
東芝
￥899～税込￥989～
1個ほか
当日出荷から7日以内出荷
チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型
バリエーション一覧へ(100)
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 250 V， 30 A， 3 ピンパッケージTO-3PN
東芝(1件のレビュー)
￥3,698税込￥4,068
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.06 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = +20 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 260 W @ 25 ℃1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET
東芝(1件のレビュー)
￥539税込￥593
1個
翌々日出荷から7日以内出荷
チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型
バリエーション一覧へ(30)
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 60 V， 60 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
￥1,498税込￥1,648
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W標準ターンオフ遅延時間 = 36 nsMOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル IGBT， 1100 V， 60 A， 3-Pin TO-3PN シングル
東芝
￥869税込￥956
1個
翌々日出荷
仕様最大連続コレクタ電流 = 60 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 1100 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±25V最大パワー消費 = 333 Wパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル長さ = 15.5mm幅 = 4.5mm高さ = 20mm寸法 = 15.5 x 4.5 x 20mm動作温度 Max = +175 ℃IGBTディスクリート、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 39 A， 3 ピンパッケージTO-247 TK シリーズ
東芝
￥1,198税込￥1,318
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 39 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 270 Wトランジスタ素材 = SiMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET MOSFET， 650 V， 27.6 A， 3 ピンパッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ
東芝(1件のレビュー)
￥2,398税込￥2,638
1袋(2個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 27.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 110 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータ最大パワー消費 = 230 W順方向ダイオード電圧 = 1.7VMOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET MOSFET， 600 V， 15.8 A， 3 ピンパッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ
東芝
￥1,598税込￥1,758
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 230 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータ最大パワー消費 = 130 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 31 A， 3 ピンパッケージTO-220 TK シリーズ
東芝
￥1,998税込￥2,198
1袋(2個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 230 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET MOSFET， 600 V， 61.8 A， 3 ピンパッケージTO-247 DTMOSIV-H シリーズ
東芝
￥2,998税込￥3,298
1個
欠品中
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 61.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータ最大パワー消費 = 400 W順方向ダイオード電圧 = 1.7VMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 11.5 A， 3 ピンパッケージTO-3P TK シリーズ
東芝
￥519税込￥571
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 110 W動作温度 Max = +150 ℃MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 80 V， 72 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
￥1,798税込￥1,978
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 72 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.5 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba コンパレータ， 3～5 V，プッシュープル出力， 5-Pin SSOP
東芝
￥399税込￥439
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様コンパレータタイプ = 汎用実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOP電源タイプ = シングル出力タイプ = プッシュ-プル1チップ当たりのチャンネル数 = 1標準応答時間 = 0.06μsピン数 = 5標準シングル供給電圧 = 3 → 5 V寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mm長さ = 2.9mm幅 = 1.6mm高さ = 1.1mm標準電圧ゲイン = 94 dBコンパレータ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
東芝，ショットキーバリアダイオード，絶縁型， 300mA， 45V， 6-Pin SOT-363 (SC-88)
東芝
￥769税込￥846
1袋(25個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = 絶縁型1チップ当たりのエレメント数 = 3ピーク逆繰返し電圧 = 45V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 6長さ = 2mm幅 = 1.25mm高さ = 0.9mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1A小信号ショットキーバリアダイオード、HN2Sシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 31 A， 3 ピンパッケージTO-247 DTMOSIV シリーズ
東芝
￥879税込￥967
1袋(2個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 230 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 62 A， 3 ピンパッケージTO-3PN TK シリーズ
東芝
￥2,998税込￥3,298
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 62 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 400 W標準ターンオフ遅延時間 = 310 nsMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 40 V， 15 A， 3 ピンパッケージDPAK+ (TO-252) U-MOSVIII-H シリーズ
東芝
￥459税込￥505
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 37 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = DPAK+ (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 46 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba コンパレータ， 3～28 V，オープンコレクタ出力， 5-Pin SSOP
東芝
￥679税込￥747
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様コンパレータタイプ = 汎用実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOP電源タイプ = デュアル，シングル出力タイプ = オープンコレクタ1チップ当たりのチャンネル数 = 1標準応答時間 = 1.3μsピン数 = 5標準シングル供給電圧 = 3 → 28 V寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mm長さ = 2.9mm幅 = 1.6mm高さ = 1.1mm動作温度 Min = -40 ℃コンパレータ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 120 V， 60 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
￥1,098税込￥1,208
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 120 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.8 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W幅 = 4.5mmMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 263 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
￥2,398税込￥2,638
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 263 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.2 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK100 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba コンパレータ， 3～5V，プッシュープル出力， 5-Pin SSOP
東芝
￥469税込￥516
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様コンパレータタイプ = 汎用実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOP電源タイプ = デュアル，シングル出力タイプ = プッシュ-プル1チップ当たりのチャンネル数 = 1標準応答時間 = 0.011μsピン数 = 5標準シングル供給電圧 = 3 V、5 V寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mm長さ = 2.9mm幅 = 1.6mm高さ = 1.1mm標準デュアル供給電圧 = ±3Vコンパレータ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
東芝過渡電圧サプレッサツェナーダイオード， 15V， 700 mW， 2-Pin S-FLAT
東芝
￥349税込￥384
1袋(25個)
翌々日出荷
仕様標準ツェナー電圧 = 15V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 700 mWパッケージタイプ = S-FLATツェナータイプ = トランジェントサプレッサピン数 = 2テスト電流 = 10mA最大ツェナーインピーダンス = 30Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 2.6mm寸法 = 2.6 x 1.6 x 0.98mm幅 = 1.6mmツェナーダイオード700 mW、CRYμCRZシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 650 V， 49 A， 3 ピンパッケージTO-247 TK シリーズ
東芝
￥1,798税込￥1,978
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 49 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 55 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 400 W幅 = 5.02mmMOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET MOSFET， 600 V， 25 A， 3 ピンパッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ
東芝
￥3,798税込￥4,178
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータ最大パワー消費 = 180 W標準ターンオフ遅延時間 = 90 nsMOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 39 A， 3 ピンパッケージTO-3PN TK シリーズ
東芝
￥2,998税込￥3,298
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 39 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 270 Wシリーズ = TKMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET MOSFET， 80 V， 157 A， 3 ピンパッケージTO-220 U-MOSVIII-H シリーズ
東芝
￥2,198税込￥2,418
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 157 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.3 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータ最大パワー消費 = 192 W長さ = 10.16mmMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 60 V， 60 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS U-MOSVIII-H シリーズ
東芝
￥1,498税込￥1,648
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
東芝過渡電圧サプレッサツェナーダイオード， 6.8V， 700 mW， 2-Pin S-FLAT
東芝
￥349税込￥384
1袋(25個)
翌々日出荷
仕様標準ツェナー電圧 = 6.8V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 700 mWパッケージタイプ = S-FLATツェナータイプ = トランジェントサプレッサピン数 = 2テスト電流 = 10mA最大ツェナーインピーダンス = 60Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 2.6mm寸法 = 2.6 x 1.6 x 0.98mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード700 mW、CRYμCRZシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
東芝，整流ダイオード， 700mA， 400V， 2-Pin S-FLAT
東芝
￥1,398税込￥1,538
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = S-FLATダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.1V長さ = 2.6mm幅 = 1.6mm高さ = 0.98mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 16.5A高効率高速整流ダイオード、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 100 V， 65 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
￥2,998税込￥3,298
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 65 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.8 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
東芝，ショットキーバリアダイオード， 1.5A， 30V 表面実装， 2-Pin S-FLAT ショットキー 460mV
東芝
￥999～税込￥1,099～
1袋(20個)ほか
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
バリエーション一覧へ(2)

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