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ショットキバリアダイオード 40V/0.1A 東芝ショットキバリアダイオード 40V/0.1A東芝
29税込32
1個
3日以内出荷
用途LowVoltage High Speed Switching電流(A)平均整流電流:0.1内部回路1RoHS指令(10物質対応)対応最大逆電圧(V)40
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 60 V, 40 A, 8 ピン パッケージSOP U-MOSVIII-H シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET, 60 V, 40 A, 8 ピン パッケージSOP U-MOSVIII-H シリーズ東芝
649税込714
1袋(20個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 40 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 17 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 34 W順方向ダイオード電圧 = 1.2VMOSFET Nチャンネル、TPHシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 30 V, 32 A, 8 ピン パッケージSOP U-MOSVIII-H シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET, 30 V, 32 A, 8 ピン パッケージSOP U-MOSVIII-H シリーズ東芝
879税込967
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 32 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最低ゲートしきい値電圧 = 1.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 21 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TPHシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
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