「w-252」の検索結果

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Toshiba NPN パワートランジスタ， 50 V， 7 A， 3-Pin DPAK (TO-252)
東芝
￥1,798税込￥1,978
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 7 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 160トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.18 V汎用NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP 高電圧パワートランジスタ， 600 V， 500mA， 3-Pin DPAK (TO-252)
東芝
￥709税込￥780
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 70トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -600 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 V最大動作周波数 = 35 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 5.5mm高電圧トランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP パワートランジスタ， 50 V， 5 A， 3-Pin DPAK (TO-252)
東芝
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.4 V汎用PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN パワートランジスタ， 50 V， 5 A， 3-Pin DPAK (TO-252)
東芝
￥969税込￥1,066
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 5.5mm汎用NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN 高電圧パワートランジスタ， 400 V， 2 A， 3-Pin DPAK (TO-252)
東芝
￥1,198税込￥1,318
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 600 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 6.5 x 5.5 x 2.3mm高電圧トランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP パワートランジスタ， 50 V， 5 A， 3-Pin DPAK (TO-252)
東芝
￥999税込￥1,099
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.27 V汎用PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN パワートランジスタ， 80 V， 5 A， 3-Pin DPAK (TO-252)
東芝
￥1,698税込￥1,868
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 120 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 5.5mm汎用NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 7 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) U-MOSVIII-H シリーズ
東芝
￥429税込￥472
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 600 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 60 W標準ターンオフ遅延時間 = 55 nsMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 11.5 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) DTMOSIV シリーズ
東芝
￥2,198税込￥2,418
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 340 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 100 W標準ターンオフ遅延時間 = 85 nsMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 500 V， 7 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252)
東芝
￥1,498税込￥1,648
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.22Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 100W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 5.4 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) TK シリーズ
東芝
￥1,398税込￥1,538
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 60 W寸法 = 6.6 x 7.18 x 2.3mmMOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 500 V， 3 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252)
東芝
￥4,698税込￥5,168
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.4V最低ゲートしきい値電圧 = 2.4V最大ゲート-ソース間電圧 = +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 60 Wトランジスタ素材 = SiMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 650 V， 6.8 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) DTMOSIV シリーズ
東芝
￥939税込￥1,033
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 800 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 60 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 40 V， 15 A， 3 ピンパッケージDPAK+ (TO-252) U-MOSVIII-H シリーズ
東芝
￥459税込￥505
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 37 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = DPAK+ (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 46 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 650 V， 11.1 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) DTMOSIV シリーズ
東芝
￥489税込￥538
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 440 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 100 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
圧力IHジャー炊飯器
東芝
￥35,980税込￥39,578
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美味しさと便利さを兼ね備えた圧力IHジャー炊飯器。高火力で加熱し、圧力をかけることでお米のα化を促進。甘味や粘りを引き出した美味しいお米が炊き上がります。また充実の調理コースを搭載し、予めメニュー化された「簡単調理」の他、料理や食材にあわせて手動で温度と時間の設定できる「こだわり調理」コースを搭載。お米を炊かない日にも大活躍の一台です。
付属品おたま、しゃもじ、軽量カップ仕様【内釜】釜厚さ：2mm / 外面：遠赤コート / 内面：備長炭ダイヤモンドコード質量(kg)5.9消費電力(W)1250寸法(幅W×奥行D×高さH)(mm)252×320×219コントロール【気圧】圧力1.2気圧(圧力可変)モードオススメ炊飯コース：甘み炊き、食感炊き分け：「匠炊き」3通り、早炊き、エコ炊飯、お粥/炊込み/お弁当/冷凍ごはん、簡単調理(自動調理)、こだわり調理消費電力量(Wh)1回あたりの炊飯時：154.3(エコ炊飯)172.2(匠炊きふつう)、1時間あたりの保温時：21.4(エコ炊飯)年間消費電力量(kWh/年)88.2 区分：B省エネ基準達成率(%)100%(エコ炊飯)最大炊飯量5.5合(1L)
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Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 9.7 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) TK シリーズ
東芝
￥639税込￥703
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 430 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 80 W幅 = 7.18mmMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応