能動部品 ：「ST12」の検索結果

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 120 Vシリーズ STripFET実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 18 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 300 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 120 A最大ドレイン-ソース間電圧 100 Vパッケージタイプ D2PAK (TO-263)実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 10.5 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 312 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V長さ 10.4mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

定格平均オン電流 = 12A実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220AB最大ゲートトリガー電流 = 50mA繰返しピーク逆方向電圧 = 800Vサージ電流レーティング = 126Aピン数 = 3最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V最大保持電流 = 50mA寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.9mm長さ = 10.4mm幅 = 4.6mm高さ = 15.9mm繰返しピークオフステート電流 = 1mATRIAC、8 → 12 A、STMicroelectronics

最大連続コレクタ電流 = 60 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 1200 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±25V最大パワー消費 = 220 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3スイッチングスピード = 1MHzトランジスタ構成 = シングル寸法 = 15.75 x 5.15 x 20.15mm動作温度 Max = +150 ℃IGBTディスクリート、STMicroelectronics

ファミリー名 STM32F0パッケージタイプ LQFP実装タイプ 表面実装ピン数 32デバイスコア ARM Cortex M0データバス幅 32bitプログラムメモリサイズ 32 kB最大周波数 48MHzRAMサイズ 4 kBUSBチャンネル 0PWMユニット数 1 16 bitSPIチャンネル数 1CANチャンネル数 0幅 7.2mmSTM32F03シリーズマイクロコントローラ、STMicroelectronics. STMicroelectronics ARM Cortex-M0ベースのSTM32F0シリーズマイクロコントローラには、エントリレベルのARM Cortex M0 32ビットRISCコアが搭載されています。 STM32F030バリューラインは、内蔵の高速メモリ及び強化された各種周辺機器とI/Oを備えています。 I2C、SPI、USARTなどの通信インターフェイスの他に、12ビットADC、16ビットタイマ、及び高度な制御用PWMタイマも備えています。 STのSTM32F0 MCUの高度なアーキテクチャをSTM32プラットフォームと組み合わせると、さまざまなパッケージタイプで低電力用途の設計を提供できるようになります。 フラッシュメモリとSRAMが組み込まれたARM Cortex-M0コアプロセッサは、あらゆるARMツール及びソフトウェアに対応しています。 STM32F030 ARMプロセッサマイクロコントローラ(MCU)は、アプリケーション制御やユーザーインターフェイス、ハンドヘルド機器、A/Vレシーバ、PC周辺機器、ゲームプラットフォーム、家庭用電化製品、プリンタ、アラームシステム、HVACなどの幅広い用途に適しています。. 周波数: 48 MHz CPU フラッシュメモリ: 最大64 Kバイト SRAM: 最大8 Kバイト 電源: 2.4 3.6 使用温度範囲: -40 +85 ℃