整流ダイオード 1kV/1ATAIWAN SEMICONDUCTOR当日出荷
一般整流用ダイオードガラスパッシベーションチップジャンクション高電流能力、低VF高信頼性高いサージ電流能力低電力損失、高効率IEC61249-2-21に準拠したハロゲンフリー
仕様●取り付け方式:スルーホール●パッケージ/ケース:DO-41●逆電圧:1000V●順電流:1A●構成:Single●順電圧:1V●最大サージ電流:30A●逆電流:5μA●動作温度範囲:-55℃~+150℃アズワン品番67-0394-63
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 42.1V, SMBJ26CATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 42.1V最小ブレークダウン電圧 = 28.9V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 26Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 14.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.95mm過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 9.2V, SMBJ5V0ATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 9.2V最小ブレークダウン電圧 = 6.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 65.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.95mm過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 27.6V, SMBJ17ATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
仕様方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 27.6V最小ブレークダウン電圧 = 18.9V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 17Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 21.7A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm最大逆漏れ電流 = 5μARoHS指令(10物質対応)対応
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 96.8V, SMCJ60ATAIWAN SEMICONDUCTOR¥139,800税込¥153,780
1セット(3000個)
5日以内出荷
過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
仕様方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 96.8V最小ブレークダウン電圧 = 66.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 60Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 15.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 7.15 x 6.25 x 2.75mm高さ = 2.75mmRoHS指令(10物質対応)対応
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 126V, SMCJ78CATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
仕様方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 126V最小ブレークダウン電圧 = 86.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 78Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 11.9A1チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 7.15 x 6.25 x 2.75mm最大逆漏れ電流 = 5μARoHS指令(10物質対応)対応
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 32.4V, SMCJ20ATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 32.4V最小ブレークダウン電圧 = 22.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 20Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 46.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm最大逆漏れ電流 = 5μARoHS指令(10物質対応)対応
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 45.4V, SMCJ28CATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
仕様方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 45.4V最小ブレークダウン電圧 = 31.1V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 28Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 33A1チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 7.15 x 6.25 x 2.75mm高さ = 2.75mmRoHS指令(10物質対応)対応
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 18.2V, SMBJ11ATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
仕様方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 18.2V最小ブレークダウン電圧 = 12.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 11Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 33A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm最大逆漏れ電流 = 5μARoHS指令(10物質対応)対応
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 69.4V, SMBJ43ATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
仕様方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 69.4V最小ブレークダウン電圧 = 47.8V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 43Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 8.6A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm長さ = 4.75mmRoHS指令(10物質対応)対応
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 82.4V, SMBJ51CATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
仕様方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 82.4V最小ブレークダウン電圧 = 56.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 51Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 7.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm最大逆漏れ電流 = 5μARoHS指令(10物質対応)対応
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 64.5V, SMCJ40ATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
仕様方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 64.5V最小ブレークダウン電圧 = 44.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 40Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 23.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm最大逆漏れ電流 = 5μARoHS指令(10物質対応)対応
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 38.9V, SMCJ24CATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
仕様方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 38.9V最小ブレークダウン電圧 = 26.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 38.6A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm長さ = 7.15mmRoHS指令(10物質対応)対応
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 243V, SMCJ150CATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
仕様方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 243V最小ブレークダウン電圧 = 167V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 150Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 6.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm最大逆漏れ電流 = 5μARoHS指令(10物質対応)対応
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 21.5V, SMBJ13CATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
仕様方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 21.5V最小ブレークダウン電圧 = 14.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 13Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 27.9A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm幅 = 3.95mmRoHS指令(10物質対応)対応
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 193V, SMBJ120CATAIWAN SEMICONDUCTOR¥54,980税込¥60,478
1セット(3000個)
5日以内出荷
ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 193V最小ブレークダウン電圧 = 133V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 120Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 3.1A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm幅 = 3.95mm過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 87.1V, SMBJ54ATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 87.1V最小ブレークダウン電圧 = 60V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 54Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 6.9A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.95mm過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 35.5V, SMBJ22CATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 35.5V最小ブレークダウン電圧 = 24.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 22Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 16.9A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.95mm過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 64.5V, SMCJ40ATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 64.5V最小ブレークダウン電圧 = 44.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 40Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 23.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 7.15 x 6.25 x 2.75mm幅 = 6.25mm過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 45.4V, SMCJ28CATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 45.4V最小ブレークダウン電圧 = 31.1V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 28Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 33A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.25mm過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 126V, SMCJ78CATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 126V最小ブレークダウン電圧 = 86.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 78Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 11.9A1チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 7.15 x 6.25 x 2.75mm高さ = 2.75mm過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 9.2V, SMBJ5V0CATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 9.2V最小ブレークダウン電圧 = 6.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 65.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm高さ = 2.45mm過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 17V, SMCJ10ATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 17V最小ブレークダウン電圧 = 11.1V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 10Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 88.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 2.75mm過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 69.4V, SMBJ43ATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 69.4V最小ブレークダウン電圧 = 47.8V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 43Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 8.6A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.95mm過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, スルーホール, 137V, P6KE100CATAIWAN SEMICONDUCTOR¥87,980税込¥96,778
1セット(4000個)
5日以内出荷
方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 137V最小ブレークダウン電圧 = 95V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大逆スタンドオフ電圧 = 85.5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 4.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃mm幅 = 3.56mmTVSダイオード双方向軸600 W、P6KEシリーズ、Fairchild Semiconductor
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 32.4V, SMBJ20CATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 32.4V最小ブレークダウン電圧 = 22.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 20Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 18.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.95mm過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 69.4V, SMCJ43ATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 69.4V最小ブレークダウン電圧 = 47.8V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 43Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 21.6A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.25mm過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, スルーホール, 85V, P6KE62CATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 85V最小ブレークダウン電圧 = 58.9V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大逆スタンドオフ電圧 = 53Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 7.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 7.6 x 3.6 x 3.6mm高さ = 3.6mmTVSダイオードアキシャル双方向600 W、Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, スルーホール, 22.5V, P6KE16CATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 22.5V最小ブレークダウン電圧 = 15.2V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大逆スタンドオフ電圧 = 13.6Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 28A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +175 ℃mm幅 = 3.6mmTVSダイオードアキシャル双方向600 W、Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 137V, SMBJ85ATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 137V最小ブレークダウン電圧 = 94.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 85Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 4.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.95mm過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 243V, SMBJ150CATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 243V最小ブレークダウン電圧 = 167V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 150Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 2.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.95mm過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, スルーホール, 27.7V, P6KE20ATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 27.7V最小ブレークダウン電圧 = 19V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大逆スタンドオフ電圧 = 17Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 22A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +175 ℃mm幅 = 3.6mmTVSダイオードアキシャル単方向600 W、Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor ツェナーダイオード 47V スルーホール 1000 mWTAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
ダイオード構成 = シングルV実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1000 mWパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5.5mA最大ツェナーインピーダンス = 80Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 5.2 x 2.7 x 2.7mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード1 W、1N47xxAシリーズ、Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 38.9V, SMCJ24CATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 38.9V最小ブレークダウン電圧 = 26.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 38.6A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.25mm過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 275V, SMCJ170CATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 275V最小ブレークダウン電圧 = 189V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 170Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 5.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 7.15 x 6.25 x 2.75mm高さ = 2.75mm過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
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