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エコロジープロダクト
「220v30w」の検索結果
AC220V/30W 電球(ダブルベース回転灯用/2個)エスコ(1件のレビュー)￥1,640税込￥1,804
1個
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口金BA15光色クリア仕様220V-30Wエスコ品番EA758ZK-55寸法(mm)Φ35×52
トランス 30W 110/220Vオーム電機￥6,798税込￥7,478
1個
3日以内出荷
110V130Vまたは220V240Vの電圧を100Vに変圧します。
入力電圧(V)110～130/220～240(50/60Hz)(2ステップ自動切替え)出力電圧(V)100(50/60Hz)容量(VA)30(30W)(最大)色ブラック本体質量(g)397プラグ入力対応プラグ：Cタイプ+Aタイプ変換プラグ付属保護機能サーモスタットコード長さ(cm)約60
GT5Y形 小形タイマIDEC(和泉電気)(1件のレビュー)￥3,998～税込￥4,398～
1個
当日出荷から72日以内出荷
動作時間のばらつき±0.2%±20ms以下
省スペースを追求したミニチュアサイズ
OUT(出力)/POWER(電源)LED表示付
仕様過電圧カテゴリ：Ⅲ(IEC60664-1)質量(g)約50保護構造IP40(本体)、IP20(ソケット)：IEC 60529適合規格UL508、CSA C22.2 No.14、EN61812-1外形寸法(高さH×幅W×奥行D)(mm)27.5×21.0×58.6絶縁抵抗(MΩ)(DC500Vメガにて)100以上使用温湿度範囲-10～55度/35～85%RH(氷結・結露不可)保存温湿度範囲-30～80/35～85%RH(氷結・結露不可)復帰電圧定格電圧×20%以上動作時間のばらつき±0.2%20ms最小適合負荷DC5V/20mA、DC24V/10mAセット誤差±10%標高(m)(使用時)0～2000、(輸送時)0～3000抵抗負荷定格負荷：AC220V/5A・DC30V/5A、最大開閉容量：AC1100VA・DC150W汚染度(使用環境)2(IEC60664-1)耐衝撃(m/s2)誤動作：98、耐久：490、XYZ方向を各3回誘導負荷(A)定格負荷：AC220V/2、DC30V/2.5、最大開閉容量：AC440VA・DC75W復帰時間(ms)100以下電圧誤差±0.5±20ms温度誤差±3%開閉頻度(回/時)1800機械的寿命5000万回以上耐振性10～55Hz、片振幅0.75mm、XYZ方向を各2時間最大開閉電圧(V)AC250/DC125電気的寿命(DC500Vで測定)1000以上AC220V5A)50万回以上耐電圧(V)AC200V/AC1000V・1分間
分散型電源対応 系統連系用複合継電器 K2ZC-Nomron(オムロン)￥29,980～税込￥32,978～特価
1個
当日出荷から71日以内出荷
標高(m)2000以下雷インパルス耐電圧電気回路と外箱間：4500V、電気回路相互間：4500V 1.2/50μs波 正負極性別に各3回
Toshiba NPN トランジスタ， 80 V， 12 A， 3-Pin TO-220SIS東芝￥1,398税込￥1,538
1袋(5個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.5mmNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ， 80 V， 12 A， 3-Pin TO-220SIS東芝￥1,498税込￥1,648
1袋(5個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃PNPパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 60 V， 60 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝￥629税込￥692
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W標準ターンオフ遅延時間 = 36 nsMOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 60 V， 60 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS U-MOSVIII-H シリーズ東芝￥959税込￥1,055
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 31 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ東芝￥1,398税込￥1,538
1袋(2個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 45 W動作温度 Max = +150 ℃MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 39 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ東芝￥939税込￥1,033
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 39 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 50 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 650 V， 17 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ東芝￥1,698税込￥1,868
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 17 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 11.5 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ東芝￥689税込￥758
1袋(5個)
欠品中
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 120 V， 60 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝￥719税込￥791
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 120 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.8 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W幅 = 4.5mmMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 5.4 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝￥829税込￥912
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 31 A， 3 ピン パッケージTO-220 TK シリーズ東芝￥1,298税込￥1,428
1袋(2個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 230 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 600 V， 9.7 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ東芝￥419税込￥461
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 380 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 650 V， 9.3 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ東芝￥1,198税込￥1,318
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET， 100 V， 110 A， 3 ピン パッケージTO-220FPSTMicro￥2,398税込￥2,638
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 30 W寸法 = 10.6 x 4.6 x 16.4mmNチャンネルSTripFETΩ H7シリーズ、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
分散型電源対応系統連系用地絡過電圧継電器 K2ZC-K2GV-N□Comron(オムロン)￥59,980～税込￥65,978～
1個
9日以内出荷から31日以内出荷
規格JEC 2500定格電圧(V)3810(6600電路完全地絡電圧)耐電圧1.2/50μs波 正負極性別に各3回定格周波数(Hz)50/60(共用)目的系統地絡事故(ZPD)絶縁抵抗(MΩ)電気回路と外箱間 100MΩ以上、電気回路相互間 100MΩ以上使用周囲温度(℃)-20～60(ただし、結露・氷結しないこと)周波数変動範囲(Hz)定格周波数(50/60Hz)の±5%以内耐衝撃(耐久)加速度 300m/s2 3軸6方向 各3回動作時間整定範囲：0.1～9.9秒(0.1秒ステップ)誤差：整定値±5%(最小誤差±50ms)温度の影響零相電圧：±10%耐振動(誤動作)110Hz 前後/左右5mm 上下2.5mm 加振時間30s加速度 前後/左右 10m/s2 上下 5m/s2216.7Hz 前後/上下/左右 0.4mm 加振時間 600s 加速度 2m/s2標高(m)2000以下接点容量地絡過電圧出力 自動復帰 閉路容量：DC220V 10A、DC110V15A 1000回、通電時間0.5s 開路容量：DC30W(最大電圧110V、最大電流1A)10000回(L/R25ms)AC80VA(最大電圧220V、最大電流1A)10000回(cosΦ=0.1)地絡過電圧出力 手動復帰 開閉容量：AC125V 0.5A、DC30V 2A系統遮断/復電検出出力 開閉容量：AC125V 0.2A、DC30V 2A自己診断出力 開閉容量：AC125V 0.2A DC30V 2A耐電圧(V/min)電気回路と外箱間 2000、電気回路相互間 2000周波数の影響零相電圧：±10%雷インパルス耐電圧電気回路と外箱間 4500V、制御回路相互間 3000V制御電源の影響零相電圧：±5%動作時間：±5%(最小誤差±50ms)動作値整定範囲2-2.5-3-3.5-4-4.5-5-6-7.5-10-12.5-15-20-25-30%-ロック(16タップ)使用周囲湿度(%RH)30～80
