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弱粘着タイプ×アクリル系の粘着剤で、テープを剥がした後ものりの形跡が目立たない。 有機溶剤を一切使用せず、耐候性、耐薬品性に優れたマスキングテープ。 手で簡単に切れるため作業性良好。 また、テープを貼った上から重ね貼りが可能。 基材には、カーブや凸凹にもなじみやすい柔軟性が特徴である和紙を使用。 内装クロス、木材、金属等の建築塗装や土木作業のマスキングに最適。 また、仮止めなどの袋や容器を一時固定にも。

シール材料として各種品目へ広く利用されており、性能、加工性のバランスが最も良い材料です。

Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ；sup>；R ；/sup>；小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 25 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 90 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 75W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -15 V， +15 V。幅 = 6.22mm。高さ = 2.38mm。ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET、30 → 500 V

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 11 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 52 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 58 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 15 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 55 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。高さ = 2.39mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 20 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 31 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 74 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -24 V， +24 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルパワーMOSFET、30 V、ON Semiconductor

2点ある楕円の焦点の一方の焦点を通る光線は楕円面で反射され、もう一方の焦点を通ります。この原理を利用して、光源を一方の焦点に置くことで、もう一方の焦点に光を集めることができます。