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「2sd1976」の検索結果
Toshiba NPN トランジスタ， 80 V， 12 A， 3-Pin TO-220SIS東芝￥1,998税込￥2,198
1袋(5個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.5mmNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
New Japan Radio 正電圧 3端子レギュレータ， 1.5A， 5 V 固定出力， 3-Pin TO-220F新日本無線￥1,498税込￥1,648
1袋(5個)
当日出荷
仕様出力電圧 = 5 V出力電流 Max = 1.5Aパッケージタイプ = TO-220F出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = 35 Vピン数 = 3パワーレーティング = 1W動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃出力数 = 1極性 = 正ロードレギュレーション = 50 mVNJM78xx、1.5 A電圧レギュレータ、新日本無線. 新日本無線 の NJM78xx シリーズの正リニア電圧レギュレータは固定電圧レギュレータです。 この3端子NJM78シリーズの電圧レギュレータは、電圧及び電流出力の調整を求めない限り、外部コンポーネントは必要ありません。 内部熱的過負荷保護、電流制限及び安全領域動作補償機能を統合しています。 NJRレギュレータICは、1.5 Aの出力電流を生成し、シングルポイントレギュレーションで発生する問題を解消するオンカードレギュレーションなど、幅広い用途で用いられています。. 出力電流: 1.5 A 固定電圧範囲: 5 → 20 V 内部短絡保護制限 / 内部熱的過負荷保護 良好なリップル除去率 TO252パッケージ バイポーラテクノロジー
Toshiba PNP トランジスタ， 80 V， 12 A， 3-Pin TO-220SIS東芝￥2,298税込￥2,528
1袋(5個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃PNPパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN ダーリントンペア， 400 V， 6 A， 3-Pin TO-220SIS東芝￥1,598税込￥1,758
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翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 6 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 2最小DC電流ゲイン = 100最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 2.5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 600 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 2 V最大コレクタカットオフ電流 = 20μA寸法 = 10 x 4.5 x 15mmNPNダーリントントランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 20 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝￥2,398税込￥2,638
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 175 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 58 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝￥759税込￥835
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ， 45 V， 800 mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR￥279税込￥307
1袋(10個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 170トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 900 V， 9 A， 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ東芝(1件のレビュー)￥999税込￥1,099
1個
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 20 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝￥2,498税込￥2,748
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 155 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 600 V， 25 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ東芝￥4,498税込￥4,948
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NPN パワートランジスタ， 400 V， 5 A， 3-Pin TO-220STMicro￥1,598税込￥1,758
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 80 W最小DC電流ゲイン = 8トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 800 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V高電圧トランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
ROHM LED， 赤， スルーホール実装， 5 mm (T-1 3/4)， SLI-570UT3FROHM￥199税込￥219
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仕様●LED色 ： 赤●パッケージタイプ ： 5 mm (T-1 3/4)●実装タイプ ： スルーホール実装●LED数 ： 1●順方向電圧 ： 1.9 V●光度 ： 3 cd●ピン数 ： 2●ビュー角 ： 25°●レンズ形状 ： 砲弾型●主波長 ： 630 nm●寸法 ： 5mmRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 650 V， 15 A， 3 ピン パッケージTO-220F UniFET シリーズON SEMICONDUCTOR￥509税込￥560
1個
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 440 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 38.5 W1チップ当たりのエレメント数 = 1UniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。RoHS指令(10物質対応)対応
ROHM LED， 赤， スルーホール実装， 3 mm 砲弾型 (T-1)， SLR-322VC3FROHM￥259税込￥285
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●LED色 ： 赤●パッケージタイプ ： 3 mm (T-1)●実装タイプ ： スルーホール実装●LED数 ： 1●順方向電圧 ： 2 V●光度 ： 16 mcd●ピン数 ： 2●ビュー角 ： 35°●レンズ形状 ： 長方形●主波長 ： 630 nm●寸法 ： 3.1mm●ロームスルーホールSLR-322シリーズLEDRoHS指令(10物質対応)対応
ローム トランジスタ， NPN， 表面実装， 1 A， 2SCR513P5T100ROHM￥1,798税込￥1,978
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 1 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 50 V●パッケージタイプ： SOT-89●実装タイプ： 表面実装●最大パワー消費： 500 mW●最小DC電流ゲイン： 180●トランジスタ構成： コモンエミッタ●最大コレクタ-ベース間電圧： 50 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 6 V●最大動作周波数： 100 MHz●ピン数： 3 + Tab●1チップ当たりのエレメント数： 1●動作温度 Max： +150 ℃mm●NPNパワートランジスタ、ROHMRoHS指令(10物質対応)対応
