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溶出フッ素イオンを低減しています。 チューブ内表面を平滑化(Rt=0.2μm)しています。 パーティクルや薬液の滞留を低減しています。 クリーンアップ(洗浄時間)を低減しています。 透明性、絶縁耐力に優れています。 チューブ内の表面積減少による薬液浸透量を低減しています。 応力環境下での耐ストレスクラック性を向上しています(例：硫酸過水、発煙硫酸)。

半導体・液晶産業分野での用途に適します! 溶出フッ素イオンを低減しています。 チューブ内表面を平滑化(Rt=0.2μm)しています。 パーティクルや薬液の滞留を低減しています。 クリーンアップ(洗浄時間)を低減しています。 透明性、絶縁耐力に優れています。 チューブ内の表面積減少による薬液浸透量を低減しています。 応力環境下での耐ストレスクラック性を向上しています(例：硫酸過水、発煙硫酸)。

半導体・液晶などのエレクトロニクス分野、医療・食品分野、ファインケミカルなど幅広い分野で流体の移送用として使用される優れた耐薬品性・耐熱性・耐侯性を備えたふっ素樹脂チューブです。ナフロンチューブは、充填剤、可塑剤などの添加剤を含まない純粋なふっ素樹脂チューブです。非粘着性に優れ、汚れやスケールの付着が少ないです。高温・高湿・高周波数領域での電気的特性の低下が極めて少ないため、電気絶縁の用途として最適です。耐候性に優れ、長期間の屋外使用でも劣化がありません。

チューブの内外層にストライプ状導電性PFA部を備えています。帯電防止機能を備えており、流体との摩擦帯電によるチューブ絶縁破壊を防止できます。有機溶剤燃料冷媒粉体蒸気などの移送によるチューブ絶縁破壊を防止できます。

導電性PFA部(外表面)の遮蔽効果により、着火危険に結びつくような火花放電および電気絶縁雰囲気中からの放電によるチューブ絶縁破壊を防止します。接液部は、PFA-HG素材を使用している為、液体中のフッ素イオンの溶出が少ないです。導電性部はストライプ状の為、内部の流体状況が確認できます。

高温での機械的強度が高く、屈曲疲労に対しても丈夫です。充填剤、可塑剤などの添加剤を含まない純粋なフッ素樹脂チューブです。

ナフロンPFA-HGチューブは、溶出ふっ素イオンの少ないNEW PFA化された原料を用い、かつPFAの高次構造(球晶の微小化)をコントロールすることにより、チューブ内面の平滑化を可能にしたPFAチューブです。ウルトラクリーン化を要求される半導体・液晶産業分野での用途に最適です。パーティクルや薬液の滞留低減、クリーンアップ(洗浄時間)の低減、チューブ内の表面積減少による薬液浸透量の低減、透明性・絶縁耐力の向上に最適です。また、溶出ふっ素イオンの低減により、例えば硫酸過水、発煙硫酸などの応力環境下での耐ストレスクラック性向上に適しています。

ナフロンPFA-HGチューブは、溶出ふっ素イオンの少ないNEW PFA化された原料を用い、かつPFAの高次構造(球晶の微小化)をコントロールすることにより、チューブ内面の平滑化を可能にしたPFAチューブです。ウルトラクリーン化を要求される半導体・液晶産業分野での用途に最適です。パーティクルや薬液の滞留低減、クリーンアップ(洗浄時間)の低減、チューブ内の表面積減少による薬液浸透量の低減、透明性・絶縁耐力の向上に最適です。また、溶出ふっ素イオンの低減により、例えば硫酸過水、発煙硫酸などの応力環境下での耐ストレスクラック性向上に適しています。

導電性PFA部(外表面)の遮蔽効果により、着火危険に結びつくような火花放電及び電気絶縁雰囲気中からの放電によるチューブ絶縁破壊を防止します。接液部は、PFA-HG素材を使用している為、液体中のフッ素イオンの溶出が少ないです。導電性部はストライプ状の為、内部の流体状況が確認できます。