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文書保存箱 記入欄付き A式 整理収納 ボックス PLUS(プラス)[文具]文書保存箱 記入欄付き A式 整理収納 ボックスPLUS(プラス)[文具](1件のレビュー)
799税込879
1枚
翌々日出荷
オフィスで、ご家庭で、書類だけでなく、さまざまなものの整理収納に便利。ナチュラルなクラフト段ボールに、内容表示などの記入欄が印刷されているので整理保管に便利。主ファイリング用途向けの、保存箱です。紙の重さを考慮して耐荷重は20kg、4段まで積むことができます。A4のファイルやボックスが入るサイズです。環境に配慮した古紙パルプ配合率90%再生紙のダンボールですので、グリーン購入法適合製品です。
グリーン購入法適合材質古紙パルプ配合率90%再生紙段ボール耐荷重(kg)約20積層段数4段
onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 1.3 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン onsemionsemi Pチャンネル MOSFET30 V 1.3 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi
609税込670
1袋(10個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V, +25 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。
RoHS指令(10物質対応)対応
粉末ハイススクエアエンドミル XPM 2刃 深掘り用 ミディアム DE-XPM-EDN OSG(オーエスジー)粉末ハイススクエアエンドミル XPM 2刃 深掘り用 ミディアム DE-XPM-EDNOSG(オーエスジー)(1件のレビュー)
67,980税込74,778
1本
当日出荷から8日以内出荷
深彫用のロングシャンク形2枚刃エンドミルです。刃径よりシャンク径が細い設定となっています。
材質高級粉末ハイス(XPM)刃数2コーナー形状ピンカドねじれ角(°)約30適合被削材種炭素鋼・合金鋼・工具鋼(~40HRC):〇、プリハードン鋼・焼き入れ鋼(~45HRC):〇、ステンレス鋼(~35HRC):〇、鋳鉄・ダクタイル鋳鉄(~350HB):〇、銅合金:〇、アルミ合金:〇、チタン合金:〇刃径公差(mm)0~-0.03RoHS指令(10物質対応)対応グリーン購入法適合
onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 1.3 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン onsemionsemi Pチャンネル MOSFET30 V 1.3 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi
599税込659
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷高さ(mm)0.94ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)1.3最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180最小ゲートしきい値電圧(V)0.8最大ゲート-ソース間電圧(V)-25、 +25トランジスタ構成シングル最大パワー消費500 mW
ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET, 30 V, 1.3 A, 3 ピン パッケージSOT-23 PowerTrench シリーズ ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET, 30 V, 1.3 A, 3 ピン パッケージSOT-23 PowerTrench シリーズON SEMICONDUCTOR
599税込659
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V, +25 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオフ遅延時間 = 10 nsPowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。RoHS指令(10物質対応)対応
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