「irfp240」の検索結果

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 16 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 190 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 15.87mm。高さ = 20.7mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 30 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 85 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 190 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 5.31mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor

PチャンネルパワーMOSFET 100 V → 150 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

帯電防止、プリーツロンなどソフトな風合いの多機能ウェア。 季節や業務内容等への対応性・汎用性が高い長袖タイプ。帯電防止素材、背中にはメッシュプリーツロン採用。ブルゾンは長袖・半袖とも男女兼用なので、女性用として購入の場合はサイズ表を十分にご確認ください。 ソフトな風合い 防縮防シワ加工 帯電防止素材

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 12 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 150 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 44 nC @ 10 Vmm。高さ = 20.7mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

持ち運びが楽で、仮設の作業台を簡単に作ることが出来ます。折りたたみ式で、収納時に場所を取りません。

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。

低重心で面受けによる高耐荷重を実現しています。 作業をスムーズにするケーブルクランプ付です。 軽量です。