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「mje13009」の検索結果

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Toshiba NPN トランジスタ, 80 V, 12 A, 3-Pin TO-220SIS 東芝Toshiba NPN トランジスタ, 80 V, 12 A, 3-Pin TO-220SIS東芝
1,998税込2,198
1袋(5個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.5mmNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ スルーホール ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN パワートランジスタ スルーホールON SEMICONDUCTOR
1,598税込1,758
1袋(2個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
ON Semiconductor NPN トランジスタ スルーホール ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ スルーホールON SEMICONDUCTOR
329税込362
1袋(10個)ほか
当日出荷から7日以内出荷
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 45 V, 800 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 45 V, 800 mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
279税込307
1袋(10個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 170トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
2,298税込2,528
1袋(200個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 400 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 500 mA, DTD123YKT146 ROHMローム 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 500 mA, DTD123YKT146ROHM
159税込175
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様●トランジスタタイプ: NPN●最大DCコレクタ電流: 500 mA●パッケージタイプ: SMT●実装タイプ: 表面実装●最小DC電流ゲイン: 56●トランジスタ構成: シングル●ピン数: 3●1チップ当たりのエレメント数: 1●動作温度 Max: +150 ℃kΩ●ローム デュアル抵抗器デジタルNPNトランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 58 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 58 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝
759税込835
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 300 V, 500mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 300 V, 500mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
329税込362
1袋(10個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm高電圧NPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP トランジスタ, 60 V, 800 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP トランジスタ, 60 V, 800 mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
299税込329
1袋(10個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル 小信号 MOSFET, 60 V, 200 mA, 3 ピン パッケージTO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Nチャンネル 小信号 MOSFET, 60 V, 200 mA, 3 ピン パッケージTO-92ON SEMICONDUCTOR
1,098税込1,208
1袋(20個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 400 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 20 pF @ 25 V強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
ハンダ付け電子工作キット(雪だるま) サンハヤトハンダ付け電子工作キット(雪だるま)サンハヤト(1件のレビュー)
1,398税込1,538
1個
当日出荷
簡単!楽しいハンダ付け電子工作キット。 LED点滅回路で動作します。 電池入り。(CR2032コイン電池)
種類工作キットセット内容基板(雪だるま CEM3、金フラッシュ)×1枚、LED(赤、緑、黄色 各1個)×3個、抵抗(100Ω・カラーコード=茶/黒/茶/金)×3個、抵抗(47Ω・カラーコード=黄/紫/橙/金)×2個、NPNトランジスタ(2SC1815互換品)×2個、電解コンデンサ(47μF)×2個、スイッチ(スライドスイッチ)×1個、コイン電池ホルダ(CR2032用)×1個、コイン電池(CR2032)×1枚、説明書
Toshiba NPN パワートランジスタ, 230 V, 15 A, 3-Pin TO-3P 東芝Toshiba NPN パワートランジスタ, 230 V, 15 A, 3-Pin TO-3P東芝
2,498税込2,748
1袋(5個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 230 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.5mmNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 40 V, 200 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 40 V, 200 mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
1,298税込1,428
1袋(50個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 5.33mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 60 V, 15 A, 3-Pin TO-204 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 60 V, 15 A, 3-Pin TO-204ON SEMICONDUCTOR
919税込1,011
1個
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-204実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 115 W最小DC電流ゲイン = 5トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 2.5 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +200 ℃先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 25 V, 1.5 A, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 25 V, 1.5 A, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
369税込406
1袋(10個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.5 V小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ, 80 V, 12 A, 3-Pin TO-220SIS 東芝Toshiba PNP トランジスタ, 80 V, 12 A, 3-Pin TO-220SIS東芝
2,298税込2,528
1袋(5個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃PNPパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
パワートランジスター (T0) MAZDA(マツダ)パワートランジスター (T0)MAZDA(マツダ)
10,980税込12,078
1個
翌々日出荷
パワートランジスター (1K) MAZDA(マツダ)パワートランジスター (1K)MAZDA(マツダ)
9,498税込10,448
1個
翌々日出荷
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