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「mje13009」の検索結果

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  • Toshiba NPN トランジスタ, 80 V, 12 A, 3-Pin TO-220SIS 東芝

    Toshiba NPN トランジスタ, 80 V, 12 A, 3-Pin TO-220SIS

    東芝
    ¥2,498税込¥2,748
    1袋(5個)
    当日出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.5mmNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • ON Semiconductor NPN パワートランジスタ スルーホール ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor NPN パワートランジスタ スルーホール

    ON SEMICONDUCTOR
    ¥1,898~税込¥2,088~
    1袋(2個)ほか
    7日以内出荷
  • ON Semiconductor NPN トランジスタ スルーホール ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor NPN トランジスタ スルーホール

    ON SEMICONDUCTOR
    ¥389~税込¥428~
    1袋(10個)ほか
    当日出荷から9日以内出荷
  • ON Semiconductor NPN トランジスタ, 45 V, 800 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor NPN トランジスタ, 45 V, 800 mA, 3-Pin TO-92

    ON SEMICONDUCTOR
    ¥319税込¥351
    1袋(10個)
    当日出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 170トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • ON Semiconductor NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin TO-92

    ON SEMICONDUCTOR
    ¥3,998税込¥4,398
    1袋(200個)
    当日出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 400 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • ローム トランジスタ, NPN, 表面実装, 800 mA, 2SD1781KT146Q ROHM

    ローム トランジスタ, NPN, 表面実装, 800 mA, 2SD1781KT146Q

    ROHM
    ¥42,980税込¥47,278
    1セット(3000個)
    7日以内出荷
    仕様●トランジスタタイプ: NPN●最大DCコレクタ電流: 800 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧: 32 V●パッケージタイプ: SOT-346●実装タイプ: 表面実装●最小DC電流ゲイン: 120●ピン数: 3●1チップ当たりのエレメント数: 1●ROHM ミディアムパワートランジスタは、定格電圧が 32 V です。主に低周波数アンプ及びドライバで使用されます。高電流 小型パッケージRoHS指令(10物質対応)対応
  • ON Semiconductor NPN トランジスタ, 300 V, 500mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor NPN トランジスタ, 300 V, 500mA, 3-Pin TO-92

    ON SEMICONDUCTOR
    ¥389税込¥428
    1袋(10個)
    当日出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm高電圧NPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • ON Semiconductor PNP トランジスタ, 60 V, 800 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor PNP トランジスタ, 60 V, 800 mA, 3-Pin TO-92

    ON SEMICONDUCTOR
    ¥319税込¥351
    1袋(10個)
    当日出荷
    仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • パワートランジスター (T0) MAZDA(マツダ)

    パワートランジスター (T0)

    MAZDA(マツダ)
    ¥10,980税込¥12,078
    1個
    翌々日出荷
  • Toshiba NPN パワートランジスタ, 230 V, 15 A, 3-Pin TO-3P 東芝

    Toshiba NPN パワートランジスタ, 230 V, 15 A, 3-Pin TO-3P

    東芝
    ¥3,398税込¥3,738
    1袋(5個)
    当日出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 230 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.5mmNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • パワートランジスター (1K) MAZDA(マツダ)

    パワートランジスター (1K)

    MAZDA(マツダ)
    ¥9,498税込¥10,448
    1個
    翌々日出荷
  • Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 58 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ 東芝

    Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 58 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ

    東芝
    ¥869税込¥956
    1袋(5個)
    当日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
  • ON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 60 V, 15 A, 3-Pin TO-204 ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 60 V, 15 A, 3-Pin TO-204

    ON SEMICONDUCTOR
    ¥989税込¥1,088
    1個
    当日出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-204実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 115 W最小DC電流ゲイン = 5トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 2.5 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +200 ℃先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • ON Semiconductor NPN トランジスタ, 40 V, 200 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor NPN トランジスタ, 40 V, 200 mA, 3-Pin TO-92

    ON SEMICONDUCTOR
    ¥1,598税込¥1,758
    1袋(50個)
    当日出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 5.33mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • ハンダ付け電子工作キット(雪だるま) サンハヤト

    ハンダ付け電子工作キット(雪だるま)

    サンハヤト(1件のレビュー)
    ¥1,398税込¥1,538
    1個
    当日出荷
    簡単!楽しいハンダ付け電子工作キット。 LED点滅回路で動作します。 電池入り。(CR2032コイン電池)
    セット内容基板(雪だるま CEM3、金フラッシュ)×1枚、LED(赤、緑、黄色 各1個)×3個、抵抗(100Ω・カラーコード=茶/黒/茶/金)×3個、抵抗(47Ω・カラーコード=黄/紫/橙/金)×2個、NPNトランジスタ(2SC1815互換品)×2個、電解コンデンサ(47μF)×2個、スイッチ(スライドスイッチ)×1個、コイン電池ホルダ(CR2032用)×1個、コイン電池(CR2032)×1枚、説明書種類工作キット
  • Toshiba PNP トランジスタ, 80 V, 12 A, 3-Pin TO-220SIS 東芝

    Toshiba PNP トランジスタ, 80 V, 12 A, 3-Pin TO-220SIS

    東芝
    ¥2,898税込¥3,188
    1袋(5個)
    当日出荷
    仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃PNPパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • ON Semiconductor NPN トランジスタ, 25 V, 1.5 A, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor NPN トランジスタ, 25 V, 1.5 A, 3-Pin TO-92

    ON SEMICONDUCTOR
    ¥399税込¥439
    1袋(10個)
    当日出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.5 V小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • ON Semiconductor Nチャンネル 小信号 MOSFET, 60 V, 200 mA, 3 ピン パッケージTO-92 ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor Nチャンネル 小信号 MOSFET, 60 V, 200 mA, 3 ピン パッケージTO-92

    ON SEMICONDUCTOR
    ¥1,398税込¥1,538
    1袋(20個)
    当日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 400 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 20 pF @ 25 V強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
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 使用用途などの自然な言葉で検索できるようになりました(例:工場の床に白い線を引く)詳細はこちら