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「mo-200」の検索結果

標準ノギス
(51件のレビュー)¥3,798税込¥4,1781台当日出荷バーニア読取式の標準タイプノギスです。従来品と比べ、目盛りが見やすくなりました。保管に便利なケース付きです。用途外径、内径、段差、深さの測定に材質ステンレス最小読取値(mm)0.05
カッティングマット セフティベース e
ムラテックKDS(12件のレビュー)¥2,298税込¥2,5281枚当日出荷環境対応!2倍長持ち両面印刷。鋭い刃先をソフトに受け止め、切断物が滑らず、机やテーブルを傷から守り、安心してカッティング作業ができます。オレフィン系樹脂使用により、反りが少なく軽量化。作業効率が良い最小5mm刻みの目盛印刷。焼却しても有害ガスを発生しないオレフィン系樹脂を使用しています。手軽に使えるノートサイズからビッグな特注サイズまで用途で選べる幅広いサイズ!仕様3mm厚プロ仕様:軟質オレフィン系樹脂0.6mm、硬質オレフィン系樹脂1.8mm、軟質オレフィン系樹脂0.6mm色緑タイプソフトタイプ繰り返し・詰め替え対応
引込計器盤用キャビネット MO
河村電器産業¥26,980~税込¥29,678~1個3日以内出荷から6日以内出荷引込計器用ボックス材質鉄板製構造水切・防水・パッキン付保護等級IP44有効深さ(mm)(ドア下)170、(ハンドル下)140使用場所屋外用、露出形キャビネット板厚(mm)ドア1.6、ボデー1.6、屋根1.6
ステンレス製ヘアライン引込計器盤用キャビネット SMO
河村電器産業¥66,980~税込¥73,678~1個3日以内出荷から21日以内出荷表面が美しいヘアライン加工の引込計器用ステンレス製ボックス材質ステンレス製色クリアー塗装構造水切・防水・パッキン付保護等級IP44使用場所屋外用、露出形キャビネット板厚(mm)ドア1.5、ボデー1.5、屋根1.5
ステンレス製塗装付屋外引込計器盤用キャビネット SCMO
河村電器産業¥69,980~税込¥76,978~1個3日以内出荷から7日以内出荷表面に焼付塗装を使用した引込計器用ステンレス製ボックス材質ステンレス製構造水切・防水・パッキン付保護等級IP44使用場所屋外用、露出形キャビネット板厚(mm)ドア1.5、ボデー1.5、屋根1.5
マイクロマルチグリース モリブデン
ヤマダコーポレーション(8件のレビュー)¥18,980税込¥20,8781箱(210mL×20本)当日出荷リチウム石けん基グリースをベースにした二硫化モリブデン入りグリース用途建設機械、継手類、軸受等の極圧性を必要とする箇所色黒種類モリブデン使用温度範囲(℃)-15~150ちょう度2号キャップ色白番手No.2容器色グリーン系増ちょう剤リチウム石けん基油精製鉱油危険等級Ⅲ危険物の類別第四類危険物の品名第四石油類特性潤滑性ちょう度範囲(1/10mm)265~295危険物の性状非水溶性商品タイプモリブデン入りリチウムグリース
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 20 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝¥3,998税込¥4,3981袋(5個)当日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 175 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 207 A, 3 ピン パッケージTO-220 TK シリーズ
東芝¥839税込¥9231個当日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 207 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 255 W標準ターンオフ遅延時間 = 140 nsMOSFET N-Channel, TK100 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 9.7 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ
東芝¥649税込¥7141袋(5個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 380 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 15.8 A, 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ
東芝¥1,598税込¥1,7581袋(5個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 230 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 130 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 25 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ
東芝¥5,198税込¥5,7181袋(5個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 31 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝¥2,298税込¥2,5281袋(2個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 Wトランジスタ素材 = SiMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 39 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ
東芝¥1,498税込¥1,6481個翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 39 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 50 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 25 A, 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ
東芝¥3,798税込¥4,1781袋(5個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 180 W標準ターンオフ遅延時間 = 90 nsMOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 11.5 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ
東芝¥1,198税込¥1,3181袋(5個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 500 V, 18.5 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ
東芝¥2,898税込¥3,1881袋(5個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 40 W順方向ダイオード電圧 = 1.7VMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 500 V, 5 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS
東芝¥4,198税込¥4,6181袋(20個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.4V最低ゲートしきい値電圧 = 2.4V最大ゲート-ソース間電圧 = +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W @ 25 ℃1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET, 400 V, 3.7 A, 3 ピン パッケージTO-220FP
VISHAY¥439税込¥4831個翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1Ω最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W標準ゲートチャージ @ Vgs = 38 nC @ 10 VNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 20 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝¥4,198税込¥4,6181袋(5個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 155 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 31 A, 3 ピン パッケージTO-220 TK シリーズ
東芝¥1,998税込¥2,1981袋(2個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 230 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 5.4 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝¥829税込¥9121袋(5個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 800 V, 10 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝¥5,998税込¥6,5981袋(5個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 50 W幅 = 4.5mmMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 110 A, 3 ピン パッケージTO-220FP
STMicro¥2,598税込¥2,8581袋(5個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 30 W寸法 = 10.6 x 4.6 x 16.4mmNチャンネルSTripFETΩ H7シリーズ、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
箱型筆入 オトバコ
パイロット¥1,898税込¥2,0881個3日以内出荷ペンもスマホも立てられる大人の筆箱仕様PU(表紙)、PVC(内生地、滑り止め)、ABS(ペンホルダー・中皿)、磁石、へり止め金具繰り返し・詰め替え対応
ゆりかごセット オフセットタイプ タップ穴仕様
ナベヤ¥469,800税込¥516,7801個61日以内出荷背の高いワークに適しています。 ワーク固定に、タップを利用できます。 受注生産。材質ブラケット:S50C、プレート:S50CRoHS指令(10物質対応)対応
燃料フラッシング装置 モーター200W
三晃精機¥399,800税込¥439,7801台5日以内出荷2段階ろ過で水と、スラッジを効率良く、ろ過をします。 エレメントは洗浄可能なステンレス製。 強力ポンプでスピードアップ。用途建機のメンテナンスに付属品カム式カプラ付きワイヤー入り耐油ホース(5m)×2本、洗浄ノズル(塩ビパイプ:22×1200、17×1200)、本機運搬用カート仕様(エレメント個数)一次側:1個、二次側:1個寸法(mm)470×520×1175質量(kg)34フィルター容量(mL)10000モーター(W)200吐出量(L/min)30
BRIDE リクライニングシート用シートレール MOタイプ
BRIDE¥24,980税込¥27,4781個6日以内出荷・BRIDEのスーパーシートレール リクライニングシート用MOタイプ、T265MOです。・実車から各寸法を手作業で精密に採寸された、高い強度と精度を提供するスーパーシートレールです。・一台一台形状の違うフレームを持つ実車から手作業で精密に採寸しマスターレールを制作した後、量産用の治具を作り量産する手法が取られています。・各ボルト穴のサイズなど細かい部分まで正確に設計され、ボルト穴の余計な隙間を無くし、車体とシートレール、シートとシートレールのフィッティングを極限まで高めています。・車種と様々な用途に合わせて、リクライニングシート用モデル、フルバケットシート用モデルの仕様を用意し、800車以上の車種に最適なシートポジションを実現しています。・BRIDEスーパーシートレールの重要部品であるスライダーは、世界最大手機構部品メーカー・フォルシア社(フランス)から調達しているBRIDE専用品のフォルシア製スライダーが採用されています。・アッパーレール厚2.0ミリ、ロアーレール厚2.3ミリ仕様のスライダーは、左右両側でロックされガタツキが無く、高強度で耐久性に優れています。・10ミリピッチ刻みの前後スライド量220ミリ仕様です。・スーパーシートレールは、日本を代表するモータースポーツ関連企業及び、関連チューニングパーツ製造・販売企業が加盟する業界団体、ASEAの品質基準をクリアした、高い品質を誇るASEA認定製品です。・保安基準適合モデルなので、追加の証明書や申請は不要となり、そのままで車検適合します。(但し、BRIDEシートとの組み合わせでの適合となります)。・また、製品の保証期間も安心の3年間保証となっています。仕様保安基準適合モデル、日本製適合【MOタイプ主な対応可能シート】ブリッド製品:EUROSTERシリーズ / DIGOシリーズ / edirb 032 / edirb 054 / EURO II シリーズ / 旧BRIX / 旧ERGO / 旧XAX / REVS、スパルコ:スター2 / トリノ2 / ミラノ2 / モンツァ / スポルティーボ / スピード / スプリント、ハイエース(ガソリン車/標準ボディ) 型式:200系 年式:H16.8~(1型/2型/3型/4型/5型(4.5型)/6型) 右側用:T265MO 左側用:T266MO 備考:※、ハイエース(ガソリン車/ワイドボディ) 型式:200系 年式:H16.8~(1型/2型/3型/4型/5型(4.5型)/6型) 右側用:T265MO 左側用:T266MO 備考:※、ハイエース(ディーゼル車/標準ボディ) 型式:200系 年式:H16.8~H29.11(1型/2型/3型/4型) 右側用:T265MO 左側用:T266MO 備考:※、ハイエース(ディーゼル車/ワイドボディ) 型式:200系 年式:H16.8~(1型/2型/3型/4型/5型(4.5型)/6型) 右側用:T265MO 左側用:T266MO 備考:※取付寸法(mm)シート:縦330×幅290、縦271×幅345
BRIDE リクライニングシート用シートレール MOタイプ
BRIDE¥24,980税込¥27,4781個6日以内出荷・BRIDEのスーパーシートレール リクライニングシート用MOタイプ、T293MOです。・実車から各寸法を手作業で精密に採寸された、高い強度と精度を提供するスーパーシートレールです。・一台一台形状の違うフレームを持つ実車から手作業で精密に採寸しマスターレールを制作した後、量産用の治具を作り量産する手法が取られています。・各ボルト穴のサイズなど細かい部分まで正確に設計され、ボルト穴の余計な隙間を無くし、車体とシートレール、シートとシートレールのフィッティングを極限まで高めています。・車種と様々な用途に合わせて、リクライニングシート用モデル、フルバケットシート用モデルの仕様を用意し、800車以上の車種に最適なシートポジションを実現しています。・BRIDEスーパーシートレールの重要部品であるスライダーは、世界最大手機構部品メーカー・フォルシア社(フランス)から調達しているBRIDE専用品のフォルシア製スライダーが採用されています。・アッパーレール厚2.0ミリ、ロアーレール厚2.3ミリ仕様のスライダーは、左右両側でロックされガタツキが無く、高強度で耐久性に優れています。・10ミリピッチ刻みの前後スライド量220ミリ仕様です。・スーパーシートレールは、日本を代表するモータースポーツ関連企業及び、関連チューニングパーツ製造・販売企業が加盟する業界団体、ASEAの品質基準をクリアした、高い品質を誇るASEA認定製品です。・保安基準適合モデルなので、追加の証明書や申請は不要となり、そのままで車検適合します。(但し、BRIDEシートとの組み合わせでの適合となります)。・また、製品の保証期間も安心の3年間保証となっています。仕様保安基準適合モデル、日本製適合【MOタイプ主な対応可能シート】ブリッド製品:EUROSTERシリーズ / DIGOシリーズ / edirb 032 / edirb 054 / EURO II シリーズ / 旧BRIX / 旧ERGO / 旧XAX / REVS、スパルコ:スター2 / トリノ2 / ミラノ2 / モンツァ / スポルティーボ / スピード / スプリント取付寸法(mm)シート:縦330×幅290、縦271×幅345適合車種ハイエース(ディーゼル車/標準ボディ) 型式:200系 年式:H29.12~(5型(4.5型)) 右側用:T293MO 左側用:- 備考:※
Molex 105325-2002 Nano-Fit 2極 端子位置保証(TPA)
日本モレックス(molex)¥409税込¥4501袋(20個)7日以内出荷仕様アクセサリタイプ:TPAリテーナー●極数:2●シリーズ番号:105325●Molex 2.5 mm Nano-Fit端子位置保証(TPA)リテーナー. Nano-Fit 105307及び105308シリーズの圧着ハウジングと合わせて使用するためのNano-Fit端子位置保証(TPA)リテーナーです。 これらのTPAリテーナーは、圧着端子がNano-Fit圧着ハウジング内に完全に密閉されるようにし、端子のバックアウトを防止します。 ハウジングのメインの保持機能が故障しても、TPAが引き続きコンタクトを保持します。色ナチュラルRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET, 200 V, 57 A, 3 ピン パッケージTO-220AB
VISHAY¥4,198税込¥4,6181袋(5個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 57 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 33 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 3.75 W動作温度 Max = +175 ℃NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 85 A, 3 ピン パッケージTO-220AB
VISHAY¥1,098税込¥1,2081個7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 85 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.5 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250 W寸法 = 10.41 x 4.7 x 9.01mmNチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 800 V, 3 A, 3 ピン パッケージTO-220FP
STMicro¥2,298税込¥2,5281袋(5個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 25 W動作温度 Max = +150 ℃NチャンネルMDmeshΩ SuperMESHΩ、700 → 1200 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 65 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝¥2,998税込¥3,2981袋(5個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 65 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.8 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 200 V, 15 A, 3 ピン パッケージTO-220 STripFET シリーズ
STMicro¥1,998税込¥2,1981袋(10個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 90 W標準ターンオフ遅延時間 = 19 nsNチャンネルSTripFETΩ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応












































