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Toshiba NPN トランジスタ
東芝￥1,898税込￥2,0881袋(25個)翌々日出荷実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大エミッタ-ベース間電圧(V)5トランジスタ構成シングルトランジスタタイプNPN
Toshiba NPN バイポーラトランジスタ
東芝￥999税込￥1,0991袋(10個)翌々日出荷仕様汎用NPNトランジスタ、東芝幅(mm)5.5ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)80最大パワー消費(W)10最大エミッタ-ベース間電圧(V)9最大コレクタ-ベース間電圧(V)160トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)3トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン100最大動作周波数(MHz)150
NPNエピタキシャルシリコントランジスター 3MHz
フェアチャイルド￥90税込￥991個3日以内出荷中電力リニアスイッチング用最大電流(A)コレクタ(Ic):3周波数(MHz)トランジション:3RoHS指令(10物質対応)対応最大電圧(V)コレクタエミッタブレークダウン：100パッケージTO-220最大電力(W)2
Toshiba NPN ダーリントントランジスタ
東芝￥1,398税込￥1,5381袋(5個)欠品中仕様NPNダーリントントランジスタ、東芝幅(mm)6.5ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大連続コレクタ電流(A)4最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)80最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタカットオフ電流(mA)0.02最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧(V)1.5最大ベース-エミッタ間飽和電圧(V)2最大コレクタ-ベース間電圧(V)100トランジスタ構成シングルトランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン2000
Toshiba NPN 抵抗内蔵トランジスタ
東芝￥1,498税込￥1,6481袋(50個)翌々日出荷仕様抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、VESM、東芝ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150内蔵抵抗器(ベースエミッタ)10kΩRoHS指令(10物質対応)対応入力抵抗1KΩパッケージVESM1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)50最大エミッタ-ベース間電圧(V)5抵抗比0.1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧(V)0.3トランジスタ構成シングル最大連続コレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン50
Toshiba NPN トランジスタ， 80 V， 12 A， 3-Pin TO-220SIS
東芝￥2,498税込￥2,7481袋(5個)当日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.5mmNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Transistor NPN switching SOT23
nexperia￥11,980税込￥13,1781リール(3000個)7日以内出荷仕様小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin USM
東芝￥259税込￥2851袋(10個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
トランジスタ NPN 80V 6A TO220F
サンケン電気￥239税込￥2631個3日以内出荷仕様コンプリメンタリ:2SA1725電流(A)IC：6電圧(V)VCEO：80電力(W)PC：30hFEmin50/max180、条件VCE:4V/条件IC:2ARoHS指令(10物質対応)対応最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧(V)max0.5
TRANS NPN 32V 2A SOT-428
ROHM￥169税込￥1861個3日以内出荷トランジスタ 2SD1758TLR RohmSemiconductor製を販売します。その他【Vce飽和(最大)@lb、Ic】800mV@200mA、2A、電流：【コレクタ遮断】最大1μA(ICBO)、【Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)】最小180 @500mA、3V最大電流(A)【コレクタ(Ic)】2周波数【トランジション】100MHz動作温度(℃)150(TJ)RoHS指令(10物質対応)対応最大電圧(V)【コレクタエミッタブレークダウン】32実装タイプ面実装パッケージ/ケースTO-252-3、DPak(2リード + タブ)、SC-63トランジスタタイプNPN最大電力(W)10
互換ケーブル(SF4-AH□用NPNタイプ)
パナソニック インダストリー(パナソニック デバイスSUNX)￥18,980税込￥20,8781セット(2本)5日以内出荷仕様互換ケーブル(SF4-AH□用NPNタイプ)RoHS指令(10物質対応)対応
Taiwan Semiconductor NPN トランジスタ スルーホール
TAIWAN SEMICONDUCTOR￥5,298～税込￥5,828～1袋(250個)ほか7日以内出荷RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NPN パワートランジスタ 表面実装
STMicro￥1,898税込￥2,0881袋(25個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ：NPN最大DCコレクタ電流：1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧：80 Vパッケージタイプ：SOT-223実装タイプ：表面実装最大パワー消費：1.6 W最小DC電流ゲイン：25トランジスタ構成：シングル最大コレクタ-ベース間電圧：100 V最大エミッタ-ベース間電圧：5 Vピン数：3 + Tab1チップ当たりのエレメント数：1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧：0.5 V汎用NPNトランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)
東芝(2件のレビュー)￥259税込￥2851袋(10個)当日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +125 ℃RFバイポーラトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
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