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  • NT用 PC4-21300 DDR4-2666 260pin SODIMM 1.2v CENTURY MICROY MICRO(センチュリーマイクロ)

    NT用 PC4-21300 DDR4-2666 260pin SODIMM 1.2v

    CENTURY MICROY MICRO(センチュリーマイクロ)
    ¥429,800~税込¥472,780~
    1個
    5日以内出荷
    国内製造の日本製メモリー。全品実機検証を行い出荷。メジャーブランドDRAM搭載。RoHS指令準拠。高品質、高互換性メモリー。安心の5年保証。
    規格DDR4 SDRAM保証期間5年ピン数(ピン)260RoHS指令(10物質対応)対応メモリーモジュール規格PC4-21300性能ランクRANK:2(Dual Rank)メモリ規格DDR4-2666メモリーインターフェイスSODIMM動作電圧(V)1.2
  • NT用 PC4-21300 DDR4-2666 260pin SODIMM 1RK 1.2v CENTURY MICROY MICRO(センチュリーマイクロ)

    NT用 PC4-21300 DDR4-2666 260pin SODIMM 1RK 1.2v

    CENTURY MICROY MICRO(センチュリーマイクロ)
    ¥189,800~税込¥208,780~
    1個
    5日以内出荷
    国内製造の日本製メモリー。全品実機検証を行い出荷。メジャーブランドDRAM搭載。RoHS指令準拠。高品質、高互換性メモリー。安心の5年保証。
    規格DDR4 SDRAM保証期間5年ピン数(ピン)260RoHS指令(10物質対応)対応メモリーモジュール規格PC4-21300性能ランクRANK:1(Single Rank)メモリ規格DDR4-2666メモリーインターフェイスSODIMM動作電圧(V)1.2
  • NT用 PC4-21300 DDR4-2666 260pin SODIMM 2RK 1.2v CENTURY MICROY MICRO(センチュリーマイクロ)

    NT用 PC4-21300 DDR4-2666 260pin SODIMM 2RK 1.2v

    CENTURY MICROY MICRO(センチュリーマイクロ)
    ¥569,800~税込¥626,780~
    1個
    5日以内出荷
    国内製造の日本製メモリー。全品実機検証を行い出荷。メジャーブランドDRAM搭載。RoHS指令準拠。高品質、高互換性メモリー。安心の5年保証。
    規格DDR4 SDRAM保証期間5年ピン数(ピン)260RoHS指令(10物質対応)対応メモリーモジュール規格PC4-21300性能ランクRANK:2(Dual Rank)メモリ規格DDR4-2666メモリーインターフェイスSODIMM動作電圧(V)1.2
  • ノートPC用メモリ PC4-21300(DDR4-2666) 1.2V 260pin SO-DIMM CL19 TRANSCEND(トランセンド)

    ノートPC用メモリ PC4-21300(DDR4-2666) 1.2V 260pin SO-DIMM CL19

    TRANSCEND(トランセンド)
    ¥57,980~税込¥63,778~
    1個
    13日以内出荷
    トランセンドのJetRamは有名ブランドのDRAMを使用し、厳格な検査でスクリーニングしたETTグレードのメモリモジュールです。優れた互換性と信頼性を備えているのでPCのアップグレードなどに最適です。最大21GB/sのバンド幅によりデータ伝送効率を高め、2666 MT/sの動作クロックを提供します。また、DDR4メモリは1.2Vで動作でき、メモリコントローラの発熱や電気負荷が低減されるため、動作電圧が1.5Vの標準DDR3メモリと比較して最大40%の消費電力を抑えることができます。
    規格DDR4 SDRAM電圧(V)1.2保証期間無期限保証ピン数(ピン)260動作温度(℃)0(32°F)~85(185°F)RoHS指令(10物質対応)対応メモリーモジュール規格PC4-21300メモリークロック2666CASレイテンシーCL19メモリーインターフェイスUnbuffered SO-DIMM
  • ノートPC用メモリ DDR4-2666 TRANSCEND(トランセンド)

    ノートPC用メモリ DDR4-2666

    TRANSCEND(トランセンド)
    ¥17,980税込¥19,778
    1個
    13日以内出荷
    トランセンドのJetRamは有名ブランドのDRAMを使用し、厳格な検査でスクリーニングしたETTグレードのメモリモジュールです。優れた互換性と信頼性を備えているのでPCのアップグレードなどに最適です。最大21GB/sのバンド幅によりデータ伝送効率を高め、2666 MT/sの動作クロックを提供します。また、DDR4メモリは1.2Vで動作でき、メモリコントローラの発熱や電気負荷が低減されるため、動作電圧が1.5Vの標準DDR3メモリと比較して最大40%の消費電力を抑えることができます。
    種別ランク:1R×8、DRAM:512M×8、PCB高:1.18 インチ規格DDR4-2666電圧(V)1.2ピン数(ピン)260動作周囲温度(℃)0 (32°F) ~ 85 (185°F)内蔵RAMDDR4RoHS指令(10物質対応)対応容量(GB)4メモリークロック2666CASレイテンシーCL19メモリーインターフェイスUnbuffered SO-DIMM
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