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パワーMOSFET
東芝￥779税込￥8571個3日以内出荷用途DC/DCコンバータモーター駆動備考4V駆動電流(A)ID:60電圧(V)VDSS:60入力容量Ciss：5400pF(標準) (Vds=10V f=1MHz)電力(W)Pc(Tc=25℃):150構造Nch-MOS速度Yfs:40s抵抗(MΩ)RDS:15(Vgs=4V Id=30A)入数1個RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-3P(N)
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， 表面実装， FDS8958A
onsemi￥1,898税込￥2,0881箱(10個)7日以内出荷仕様このデュアル N / P チャンネル拡張モード電界効果トランジスタは、 Advanced PowerTrench プロセスを使用して生産されており、特にオン状態抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するようにカスタマイズされています。これらのデバイスは、低インライン電力損失及び高速スイッチングが必要な低電圧用途やバッテリ駆動用途に最適です。Q1 ： N チャネル 7.0 A 、 30 V RDS ( ON )-4.5 V 高速スイッチング速度 幅広く使用されている表面実装パッケージピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応パッケージSOIC実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2最大パワー消費(W)2最大動作温度(℃)150
