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「to-220ab」の検索結果
Vishay Pチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 6.7 A， 3 ピン パッケージTO-220AB
VISHAY￥339税込￥3731個当日出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 43 W動作温度 Max = +175 ℃PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， トライアック， 600V， 25A， 3-Pin TO-220AB
STMicro(1件のレビュー)￥459税込￥5051個当日出荷仕様定格平均オン電流 = 25A実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220AB最大ゲートトリガー電流 = 35mA繰返しピーク逆方向電圧 = 600Vサージ電流レーティング = 260Aピン数 = 3最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V最大保持電流 = 50mA寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.3mm長さ = 10.4mm幅 = 4.6mm高さ = 9.3mm動作温度 Max = +125 ℃トライアック、25 → 40 A、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET， 200 V， 57 A， 3 ピン パッケージTO-220AB
VISHAY￥4,198税込￥4,6181袋(5個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 57 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 33 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 3.75 W動作温度 Max = +175 ℃NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Fagor Electronica トライアック 800V 25A 3-Pin TO-220AB
Fagor Electronica￥2,398～税込￥2,638～1袋(10個)ほか7日以内出荷仕様高整流トライアック、Fagor. Fagorの高整流3象限トライアック製品です。 高い整流レートに遭遇するモータ負荷や誘導性負荷に適しています。 この製品により、多くの分野でスナバ回路が不要になります。長さ(mm)10.24幅(mm)4.62寸法(mm)10.24×4.62×15.68高さ(mm)15.68電圧(V)【繰返しピーク逆方向】800、【最大ゲートトリガー】1.3定格電流(A)【平均オン】25ピン数(ピン)3保持電流(A)【最大】75m動作温度(℃)-40RoHS指令(10物質対応)対応実装方法スルーホールパッケージTO-220AB最大電流(mA)【ゲートトリガー】50
STマイクロ， トライアック， 600V， 12A， 3-Pin TO-220AB
STMicro￥1,698税込￥1,8681袋(5個)7日以内出荷仕様定格平均オン電流 = 12A実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220AB最大ゲートトリガー電流 = 50mA繰返しピーク逆方向電圧 = 600Vサージ電流レーティング = 126Aピン数 = 3最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V最大保持電流 = 25mA寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.3mm長さ = 10.4mm幅 = 4.6mm高さ = 9.3mm動作温度 Max = +125 ℃TRIAC、8 → 12 A、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
HY Electronic Corp 整流ダイオード， コモンカソード， スルーホール， 3-Pin TO-220AB
HY Electronic Corp￥2,998税込￥3,2981セット(50個)7日以内出荷種別チューブ式長さ(mm)10.5幅(mm)4.8高さ(mm)15.5構成コモンカソードピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-220AB実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(mV)900ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)125テクノロジーショットキー
Vishay ショットキーバリアダイオード， コモンカソード， 60A， 100V， 3-Pin TO-220AB
VISHAY￥2,098税込￥2,3081袋(5個)7日以内出荷仕様ダイオード構成 = コモンカソード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ABダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 790mV長さ = 10.54mm幅 = 4.7mm高さ = 15.32mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 320ATMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、30 → 80 A、Vishay Semiconductor. Vishay製のTrench MOSバリアショットキー(TMBS(R))整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現. 特長RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET， 100 V， 85 A， 3 ピン パッケージTO-220AB
VISHAY￥1,098税込￥1,2081個7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 85 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.5 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250 W寸法 = 10.41 x 4.7 x 9.01mmNチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， ファストリカバリー 整流ダイオード， コモンカソード， 20A， 300V， 3-Pin TO-220AB
STMicro￥209税込￥2301個7日以内出荷仕様ダイオード構成 = コモンカソード整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 300V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ABダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 10.4mm幅 = 4.6mm高さ = 9.15mmピーク逆回復時間 = 35ns動作温度 Min = -65 ℃整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 58 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝￥869税込￥9561袋(5個)当日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
IC REG LINEAR-5V 1A TO220AB
ON SEMICONDUCTOR￥109税込￥1201個3日以内出荷負のリニア電圧レギュレータその他【パッケージ/ピン】TO-220/3出力電圧-5V最大入力電圧-35VRoHS指令(10物質対応)対応出力電流1A動作温度範囲(℃)0～+125出力数1
Triac，4Q，800V，12A，logic，TO220AB
WeEn Semiconductors Co.， Ltd￥5,698税込￥6,2681セット(50個)7日以内出荷仕様定格平均オン電流：12A●実装タイプ：スルーホール●パッケージタイプ：TO-220AB●最大ゲートトリガー電流：10mA●繰返しピーク逆方向電圧：800V●サージ電流レーティング：105A●ピン数：3●最大ゲートトリガー電圧：1V●繰返しピーク順方向抑止電圧：800V●最大保持電流：30mA●寸法：10.3 x 4.7 x 16mm●長さ：10.3mm●幅：4.7mm●高さ：16 (With Tab)mm●ピークオンステージ電圧：1.65V●TRIAC、NXP SemiconductorsRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 900 V， 9 A， 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ
東芝(1件のレビュー)￥999税込￥1,0991個当日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
パワーMOS FETリレー G3RZ
omron(オムロン)(1件のレビュー)￥1,998税込￥2,1981個当日出荷形G2Rと同一形状のパワーMOS FETリレー。 AC/DC両用、1A負荷開閉可能。 AC240VまたはDC100V、1Aの負荷開閉可能。 出力間開路時漏れ電流10μA以下。 入出力間耐電圧AC2500V。 入力抵抗と過電圧吸収回路内蔵。 AC全波整流負荷・半波整流負荷が開閉可能。 RoHS適合。質量(g)約20負荷電圧(V)AC3～264、DC3～125出力の適合負荷1.0A AC5～240V、DC5～100V絶縁方式フォト・ボル・カプラ絶縁抵抗(MΩ)100以上(DC500Vメガにて)使用周囲温度(℃)-30～+85(ただし、氷結および結露しないこと)端子構造プラグイン端子使用周囲湿度45～85%RH定格負荷電圧(V)DC5～100 AC5～240保存温度範囲(℃)-30～+100(ただし、氷結および結露しないこと)漏れ電流(mA)開路時/1×10-2以下(DC125Vにて)、0.1以下(AC200Vにて)復帰電圧DC1V以上耐衝撃(m/s2)1000耐振動10～55～10Hz 片振幅0.75mm(複振幅1.5mm)出力オン抵抗(Ω)2.4以下負荷電流(A)100μA～1Aサージオン電流耐量(A)10(10ms)RoHS指令(10物質対応)対応耐電圧(V/min)(入出力間)AC2500 50/60Hz商品タイプリレー同一形状ゼロクロス機能無
ローム， ショットキーバリアダイオード， コモンアノード， 2A， 650V， 2+Tab-Pin TO-220ACP
ROHM￥2,898税込￥3,1881袋(5個)翌々日出荷仕様ダイオード構成 = コモンアノード1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 650V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ACPダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2+Tab長さ = 10.2mm幅 = 4.5mm高さ = 15.6mmパワー消費 = 22WRoHS指令(10物質対応)対応
低リーク電流 ダイオード コモンカソードペア2組 10A 100V スルーホール 3-Pin
DiodesZetex￥749税込￥8241袋(10個)7日以内出荷長さ(mm)10.66幅(mm)4.82高さ(mm)16.51ピン数(ピン)3ダイオードコモンカソードペア2組RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-220AB実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数2最大順方向降下電圧(mV)660ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)150
HY Electronic Corp ショットキーバリアダイオード， コモンカソード， スルーホール
HY Electronic Corp￥3,998税込￥4,3981セット(50個)7日以内出荷種別チューブ式構成コモンカソードピン数(ピン)3実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数2ピーク逆繰返し電圧(V)100
