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ON Semiconductor NPN トランジスタ， 45 V， 800 mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥279税込￥307

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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 170トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥2,298税込￥2,528

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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 400 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PNP トランジスタ， 60 V， 800 mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥299税込￥329

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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 300 V， 500mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥329税込￥362

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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm高電圧NPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 40 V， 200 mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥1,298税込￥1,428

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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 5.33mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 25 V， 1.5 A， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥369税込￥406

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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.5 V小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi Nチャンネル JFET， 3-Pin TO-92onsemi

￥1,898税込￥2,088

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仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法(mm)5.2×4.19×5.33ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)100最大ゲート-ソース間電圧(V)-35トランジスタ構成シングルIDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)min. 2最大ドレイン-ゲート間電圧(V)35ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)28ソースゲートオンキャパシタンス(pF)28

ON Semiconductor PNP トランジスタ， 40 V， 200 mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥169税込￥186

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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PNP トランジスタ， 40 V， 600 mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥289税込￥318

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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 40 V， 1 A， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥299税込￥329

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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor Nチャンネル JFETトランジスタ， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥1,898税込￥2,088

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仕様チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 2mA最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 Ω実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-92ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pFソースゲートオンキャパシタンス = 28pF寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm幅 = 4.19mmNチャンネルJFET、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor Nチャンネル JFETトランジスタ， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥1,998税込￥2,198

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仕様チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 40mA最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 25Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 Ω実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-92ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 85pFソースゲートオンキャパシタンス = 85pF寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mm長さ = 4.58mmNチャンネルJFET、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi Nチャンネル JFET， 3-Pin TO-92onsemi

￥1,898税込￥2,088

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チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 2mA最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 Ω実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-92ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pFソースゲートオンキャパシタンス = 28pF寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm幅 = 4.19mmNチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor Nチャンネル小信号 MOSFET， 60 V， 200 mA， 3 ピンパッケージTO-92ON SEMICONDUCTOR

￥1,098税込￥1,208

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 400 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 20 pF @ 25 V強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics 正電圧 3端子レギュレータ， 100mA， 3.3 V 固定出力， 3-Pin TO-92STMicro

￥899税込￥989

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仕様出力電圧 = 3.3 V出力電流 Max = 100mAパッケージタイプ = TO-92出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = 30 Vピン数 = 3動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 正幅 = 3.94mmリニア電圧レギュレータ、100 mA、STMicroelectronics. L78Lシリーズの3端子正電圧レギュレータは、内部電流制限とサーマルシャットダウンの機能を備えています。ヒートシンクの性能が十分に高く、100 mAを超える電流を出力できます。RoHS指令(10物質対応)対応

onsemi Nチャンネル JFET， 3-Pin TO-92onsemi

￥1,998税込￥2,198

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チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 20mA最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 Ω実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-92ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pFソースゲートオンキャパシタンス = 28pF寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm幅 = 4.19mmNチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

RoHS指令(10物質対応)対応

onsemi Nチャンネル JFET， 3-Pin TO-92onsemi

￥2,898税込￥3,188

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チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 5mA最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ω実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-92ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pFソースゲートオンキャパシタンス = 28pF寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm高さ = 5.33mmNチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

RoHS指令(10物質対応)対応

onsemi Nチャンネル JFET， 3-Pin TO-92onsemi

￥1,998税込￥2,198

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仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法(mm)4.58×3.86×4.58ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)12最大ゲート-ソース間電圧(V)-25トランジスタ構成シングルIDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)min. 40最大ドレイン-ゲート間電圧(V)25ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)85ソースゲートオンキャパシタンス(pF)85

onsemi Nチャンネル JFET， 3-Pin TO-92onsemi

￥2,798税込￥3,078

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仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法(mm)5.2×4.19×5.33高さ(mm)5.33ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)50最大ゲート-ソース間電圧(V)-35トランジスタ構成シングルIDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)min. 5最大ドレイン-ゲート間電圧(V)35ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)28ソースゲートオンキャパシタンス(pF)28

onsemi Nチャンネル JFET， 3-Pin TO-92onsemi

￥1,898税込￥2,088

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仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法(mm)5.2×4.19×5.33ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)30最大ゲート-ソース間電圧(V)-35IDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)min. 20最大ドレイン-ゲート間電圧(V)35ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)28ソースゲートオンキャパシタンス(pF)28

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 40 V， 600 mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥229税込￥252

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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.75 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi Nチャンネル JFET， 3-Pin TO-92onsemi

￥1,998税込￥2,198

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チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 40mA最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 25Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 Ω実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-92ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 85pFソースゲートオンキャパシタンス = 85pF寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mm幅 = 3.86mmNチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PNP トランジスタ， 100 V， 1 A， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥2,398税込￥2,638

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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 40 V， 1 A， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥219税込￥241

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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 60 V， 1 A， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥319税込￥351

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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 750 mW最小DC電流ゲイン = 81トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 160 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 80 V， 500mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥2,398税込￥2,638

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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 4 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 40 V， 600 mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥309税込￥340

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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 120 V， 50 mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥3,698税込￥4,068

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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 50 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 150トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 110 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mm小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PNP トランジスタ， 65 V， 100mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥1,598税込￥1,758

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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PNP トランジスタ， 45 V， 800 mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥229税込￥252

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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics 基準電圧IC，出力：2.5 - 36V， 3ピン TO-92STMicro

￥93税込￥102

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仕様公称電圧 = 2.5 - 36Vパッケージタイプ = TO-92基準タイプ = 可変立上がり精度 = ±0.25 %実装タイプ = スルーホールトポロジー = シャント出力電流 Max = 100mA入力電圧 Max = 37 V出力電圧 Min = 2.5 V出力電圧 Max = 36 Vピン数 = 3寸法 = 4.7 x 3.7 x 4.4mm動作温度 Min = -20 ℃電圧基準、調整可能、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 60 V， 500mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥2,198税込￥2,418

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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 4 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mm小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PNP トランジスタ， 300 V， 500mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥1,798税込￥1,978

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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 4.58mm高電圧PNPトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 160 V， 1 A， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥2,798税込￥3,078

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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 160 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 900 mW最小DC電流ゲイン = 60トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 160 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.9mm小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 30 V， 2 A， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥2,798税込￥3,078

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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.9mm小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PNP トランジスタ， 60 V， 600 mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥259税込￥285

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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PNP トランジスタ， 45 V， 800 mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥329税込￥362

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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 170トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 500 mA スルーホールパッケージTO-92 3 ピンonsemi

￥379税込￥417

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仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 500 mA●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●パッケージタイプ： TO-92●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 5 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 3V●最低ゲートしきい値電圧： 0.8V●最大パワー消費： 830 mW●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は●Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは●オンステート抵抗を最小限に抑え●頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応

Voltage Regulator 9V 0.1A TO-92STMicro

￥43,980税込￥48,378

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仕様リニア電圧レギュレータ、100 mA、STMicroelectronics. L78Lシリーズの3端子正電圧レギュレータは、内部電流制限とサーマルシャットダウンの機能を備えています。ヒートシンクの性能が十分に高く、100 mAを超える電流を出力できます。RoHS指令(10物質対応)対応

onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 500 mA スルーホールパッケージTO-92 3 ピンonsemi

￥379税込￥417

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チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大パワー消費 = 830 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.19mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

RoHS指令(10物質対応)対応