MOS FETリレー DIP4ピン 小型&高絶縁タイプ
形状DIP4電流(A)【出力側】パルスオン電流：1.5接点構成1a温度(℃)はんだ付け温度条件：260負荷電圧(V)【出力側】60(ピークAC/DC)絶縁抵抗(MΩ)入出力間容量：最小1000、標準108使用周囲温度(℃)-40～+85(氷結・結露のないこと)動作時間(ms)標準1、最大3復帰時間(ms)標準0.2、最大1連続負荷電流(mA)【出力側】500(ピークAC/DC)出力オン抵抗(Ω)【出力側】標準0.6、最大2漏れ電流(μA)【出力側】開路時：最大1保管温度(℃)-55～+125(氷結・結露のないこと)RoHS指令(10物質対応)対応耐電圧(V/min)入出力間：5000電流低減率(mA/℃)【入力側】直流順電流：-0.3(Ta≧25℃)、【出力側】オン電流：-5(Ta≧25℃)容量(pF)入出力間：0.8、【入力側】端子間：50、【出力側】端子間：130順電圧(V)【入力側】LED：最小1.1、標準1.27、最大1.4順電流(mA)【入力側】LED：30、トリガLED：標準0.6/最小3、復帰LED：最小0.1医薬品医療機器等法医薬部外品最大逆電圧(V)【入力側】LED：5接合部温度(℃)【入力側】125、【出力側】125逆電流(μA)【入力側】最大10内容量1個
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