onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 1.3 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.5V●最大連続ドレイン電流：1.3 A
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
パッケージSOT-23
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)500
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)160
最大ゲート-ソース間電圧(V)8
トランジスタ構成シングル
最小動作温度(℃)-55
内容量1箱(5個)
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