onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 280 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
幅(mm)1.3
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)-65 (Min)
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)280
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)2
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費300 mW
内容量1箱(10個)
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