onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 14 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)-55 (Min)
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)14
最大ドレイン-ソース間電圧(V)50
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-10、 +10
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費48 W
内容量1箱(10個)