onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 14 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。ピン数(ピン)3動作温度(℃)-55 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)14最大ドレイン-ソース間電圧(V)50最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-10、 +10トランジスタ構成シングル最大パワー消費48 W内容量1箱(10個)
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