onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 115 mA 表面実装 パッケージSOT-363 6 ピン
仕様強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。ピン数(ピン)6動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)200チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)115最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)13.5最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成絶縁型内容量1箱(50個)
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