onsemi ツェナーダイオード 5.6V 表面実装 200 mW

onsemi ツェナーダイオード 5.6V 表面実装 200 mW - onsemi

仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F寸法1.3 x 1.7 x 1mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)5最大パワー消費(mW)200最大逆漏れ電流(nA)900ツェナー電圧許容性(%)2最大ツェナーインピーダンス(Ω)37内容量1箱(200個)

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