onsemi Nチャンネル MOSFET800 V 8 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：0.3333333333ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲーパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(mW)178000材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)800最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)1.55最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55内容量1箱(5個)
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はんだタブ端子、ソルダータブ端子 TE Connectivity 非絶縁 ストレート 4.8 x 0.5mmTE Connectivity Japan(旧:TYCOELECTRONICS(タイコエレクトロニクス))税込￥1,868～￥1,698～
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