onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 1.2 A 表面実装 パッケージSOT-363 6 ピン
仕様PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)6
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数2
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)300360
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)1.2
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)259
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8
トランジスタ構成絶縁型
内容量1箱(25個)
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