onsemi Pチャンネル MOSFET150 V 1.8 A 表面実装 パッケージMLPAK33 8 ピン
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：1.8 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：6.2 nC @ 10 V
高さ(mm)0.95
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性Fairchild Semiconductor QFET(R) PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFET(R)プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでス
パッケージMLPAK33
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(mW)42000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)150
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)3.6
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
内容量1箱(5個)
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