仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A長さ(mm)5シリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)2チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)3.5最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成絶縁型内容量1箱(25個)