onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大連続ドレイン電流：0.0833●標準ゲートチャージ @ Vgs：4.5 nC @ 4.5 V
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
パッケージSOT-23
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)500
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)70
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8 ， +8
トランジスタ構成シングル
内容量1箱(5個)
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