onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 6 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
仕様PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電長さ(mm)5高さ(mm)1.5ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)1.6チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)0.25最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)44最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成絶縁型内容量1箱(25個)
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