onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 62 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：62 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：76 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild SemiconductorパッケージD2PAK (TO-263)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)260チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)27最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル内容量1個
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