仕様●最低ゲートしきい値電圧:0.65V●最大連続ドレイン電流:500 mAピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。パッケージSOT-363実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)300チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)25最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)770最大ゲート-ソース間電圧(V)8トランジスタ構成絶縁型最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55内容量1箱(5個)