仕様●最低ゲートしきい値電圧:3V●最大連続ドレイン電流:61 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:58 nC @ 10 VシリーズUniFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(mW)417000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)41最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 , +30トランジスタ構成シングル内容量1個