仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A高さ(mm)1ピン数(ピン)6動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)6.3最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)36最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.6 W内容量1箱(10個)