onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 3.3 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：3.3 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：4.1 nC @ 10 V高さ(mm)1.7ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 AパッケージSOT-223実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)2.2チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)189最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル内容量1箱(5個)
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