仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)900最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)220最小ゲートしきい値電圧(V)0.6最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12トランジスタ構成シングル最大パワー消費350 mW内容量1箱(10個)