仕様●最低ゲートしきい値電圧:2.5V●最大連続ドレイン電流:76 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:72 nC @ 10 V高さ(mm)1.05ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild SemiconductorパッケージPQFN8実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)125チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)80最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20トランジスタ構成シングル内容量1箱(3個)