onsemi Nチャンネル MOSFET80 V 76 A 表面実装 パッケージPQFN8 8 ピン
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2.5V●最大連続ドレイン電流：76 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：72 nC @ 10 V
高さ(mm)1.05
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor
パッケージPQFN8
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)125
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)80
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
内容量1箱(3個)
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