仕様●チャンネルタイプ : P●最大連続ドレイン電流 : 2.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 30 V●パッケージタイプ : SOT-223●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 150 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 3.13 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●幅 : 3.7mm●高さ : 1.65mm●ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET●30 → 500 VRoHS指令(10物質対応)対応内容量1セット(4000個)