仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 170 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 : 100 V●パッケージタイプ : SOT-23●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 6 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 2.8V●最大パワー消費 : 225 mW●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●幅 : 1.3mm●動作温度 Min : -55 ℃mm●NチャンネルパワーMOSFET●100 V → 1700 V●ON Semiconductor内容量1セット(3000個)